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SiC MOSFET
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STGA... 电流隔离 栅极驱动
2025-05-23
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SiC SBD和SiC MOSFET有什么区别
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SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在多个方面存在显著的区别。以下是对这两种器件的详细比较：一、工作原理SiC SBD：利用肖特基势垒效应进行整流。当施加正向偏压时，电子从半导体流向金属，形成正向电流；当施加反向偏压时，肖特......
SiC ...
2024-10-16
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碳化硅二极管和SiC MOSFET哪个更常用
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关于碳化硅二极管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪个更常用的问题，实际上取决于具体的应用场景和需求。两者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，在电力电子领域具有广泛的应用，但各自具有不同的特性和优势。SiC MOSFET以其低电容值、高击穿电压、低导通电阻、高系统效率和快速开关速度等特点，在电动汽车、光伏发电、智能电网和轨......
碳化硅二...
2024-10-16
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碳化硅二极管和SiC MOSFET有什么区别
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碳化硅二极管（SiC SBD）和SiC MOSFET是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用，但两者在工作原理、特性、应用及优缺点等方面存在显著的差异。一、工作原理碳化硅二极管（SiC SBD）利用肖特基势垒效应的整流二极管。工作原理基于金属与碳化硅半导体之间形成的肖特基结。当施加正向偏压时，电子从......
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2024-10-16
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块提供低开关损耗，低结壳热阻，非常坚固，易于安装。这些模块直接安装在散热器(隔离封装)，并包括一个开尔文参考稳定运行。所有部件都经过严格测试，可承受1350V以上的电压。这些模块的突出特点是稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块工作在175°C结温下，符合rohs标准。典型应......
Semi... GCMX SiC ...
2024-03-28
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IXYS ix43... 栅极驱动...
2024-03-28
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microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V栅源电压下的导通电阻仅为28毫欧。该n沟道MOSFET与流行的D2PAK 4引脚配合良好，并包含开尔文源引脚，可降低开关损耗并显着提高能效。这款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩坚固性，能够......
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2024-03-28
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GD31... NXP ... FRDM...
2024-03-28
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MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介绍、特性、及应用
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microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫欧超低导通电阻，有助于最大限度地减少传导损耗并提高电源应用中的能效。这种SiC MOSFET具有优异的热稳定性，可以在高结温(高达+175°C)下工作，确保在恶劣和具有挑战性的条件下可靠运行。1700V的......
MCC SICW... SiC ...
2024-03-25
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英飞凌完善SiC MOSFET沟槽技术 200V CoolSiC G2 MOSFET
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　　与上一代产品相比，英飞凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 将存储能量和充电量提高了 20%。第二代 CoolSiC 沟槽 MOSFET 继续利用碳化硅的性能属性，有助于减少功率转换过程中的能量损耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 对硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数进行了改进。这些器件的快速......
英飞凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
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2023-04-18
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用
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　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
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如何将第三代SiC MOSFET应用于电源设计以提高性能和能效
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将第三代碳化硅（SiC）MOSFET应用于电源设计是提高性能和能效的重要方法之一。在本文中，我将详细介绍SiC MOSFET的优势、应用领域以及品牌型号，并探讨如何在电源设计中充分利用这些优势。1. SiC MOSFET的优势一、低导通电阻：SiC MOSFET具有较低的导通电阻，能够降低导通损耗，提高电源的效率。二、高开关速度：SiC ......
第三代S... 电源设计 SiC ...
2022-11-11
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器的介绍、特性、及应用
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器是一款专为碳化硅（SiC）MOSFET设计的栅极驱动器。以下是对其介绍、特性及应用的详细解析：介绍ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器是一款高度集成和灵活的栅极驱动器，它具备与市场上任何SiC MOSFET完全兼容的......
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2022-10-31
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集成三相 SiC MOSFET 和驱动电路的液冷或风冷功率模块
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集成三相SiC MOSFET和驱动电路的液冷或风冷功率模块，是现代电力电子系统中不可或缺的一部分，特别是在需要高性能、高效率和高可靠性的应用中。以下是对这两种功率模块的详细解释：SiC MOSFET概述优势：SiC MOSFET作为一种高性能的功率半导体器件，具有低导通和开关损耗、高开关速度和高温度稳定性等特点。这使得SiC MOSFET......
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2022-05-18
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IXYS LSIC1MO170E0750是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，以下是对其详细介绍、特性及应用的归纳：一、产品介绍IXYS LSIC1MO170E0750是一款针对高频、高效率应用优化的1700V碳化硅MOSFET。它结合了碳化硅材料的优异特性，如高饱和电子漂移速度、高电场击穿强度、低介电常数和高热导率，为高压、高频功率......
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2022-04-14
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用
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onsemi（安森美）M3S 1200V碳化硅MOSFET的介绍、特性及应用一、介绍onsemi（安森美）推出的M3S 1200V碳化硅（SiC）MOSFET是该公司最新一代的碳化硅功率器件，专为提高电动汽车（EV）和能源基础设施应用的效率而设计。该系列产品不仅继承了SiC MOSFET在提高效率、增加功率密度方面的优势，还针对特定应用进......
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2022-03-28
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SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案
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SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案引言碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，以其优异的耐高压、耐高温和低损耗等特性，正在逐步替代传统的硅基材料，特别是在电力电子设备中的应用。SiC MOSFET作为SiC功率器件的一种，具有高频率、高效率、高耐压和高可靠性等优点，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域具有显著优势。然......
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2021-12-20
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一、派恩杰SiC MOSFET批量“上车”背景与趋势自2018年特斯拉Model 3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。SiC MOSFET因其材料优势（如高温性能好、功率密度大等），正逐步成为新能源汽车电力电子系统的核心组件。派恩杰的突破派恩杰半导体（杭州）有限公司作......
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2021-12-09
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SiC MOSFET替代Si MOSFET时，在只有单电源正电压的情况下实现负压，可以通过在驱动回路中增加少量元件来产生所需的负压。以下是一些具体的实现方案：方案一元件选择：使用一个稍高于所需正压（如+18V）的单电源。选择一个稳压管（如Z1）和一个二极管（如Z2），其中稳压管的稳定电压加上二极管的导通压降应等于所需的正压（如+15V）。......
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