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　　　　ON Semiconductor的碳化硅肖特基二极管使用的技术，提供优越的开关性能和更高的可靠性比硅。无反向恢复电流，温度独立开关特性，以及优异的热性能集碳化硅为下一代功率半导体。系统的好处包括高效率、快速操作频率、功率密度增加、电磁干扰降低、系统尺寸和成本降低。　　特性　　易于并联　　浪涌大电流电容　　最大结温:+175°C　......
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2022-11-03
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ON Semiconductor NCx51705 SiC MOSFET栅驱动器的介绍、特性、及应用
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　　　　ON Semiconductor NCx51705的低侧，单6a高速驱动器的设计主要驱动SiC MOSFET晶体管。为了达到可能的最低传导损耗，驱动器可以向SiC MOSFET器件提供最大允许栅电压。通过在开断过程中提供高峰值电流，开关损耗也被最小化。为了提高可靠性，dv/dt免疫，甚至更快的关闭，NCx51705可以利用其车......
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2022-10-31
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ON Semiconductor NCP151 LDO双输出高PSRR稳压器的介绍、特性、及应用
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　　　　ON Semiconductor的NCP151是双线性稳压器，能够从1.7 V输入电压提供两个独立的300 mA输出电流。这些器件提供了从0.8 V到3.6 V的宽输出电压范围。优化电池供电的便携式应用的性能;NCP151采用动态静态电流调整，在空载时I(Q)消耗非常低。　　特性　　工作输入电压范围:1.7 V至5.5 V　　可......
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2022-10-21
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　　　　ON Semiconductor公司的NCP1399是一款用于半桥谐振变换器的高性能电流模式控制器。该控制器实现了600v的门驱动器，简化布局和减少外部组件数量。内置的熄灯输入功能简化了控制器在所有应用程序中的实现。在需要PFC前端的应用中，NCP1399具有一个专用的输出来驱动PFC控制器。这个特性与专用的跳过模式技术一起进一......
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2022-10-21
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ON Semiconductor 1200 V碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性及应用
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　　　　ON Semiconductor的1200v SiC mosfet使用了一种技术，与硅相比，该技术提供了优越的开关性能和更高的可靠性。低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。系统的优点包括高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、减少电磁干扰和减小系统尺寸。　　特性　　1200 V级　　低导通电阻　　紧凑的芯片尺寸确保低电......
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2022-02-24
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　　安森美ON Semiconductor stri -NCV8170-NCP170- evk Strata assessment Kit对NCV8170和NCP170系列150mA LDOs进行地层评估。LDOs的输出电压范围为1.2V ~ 3.6V。NCV8170和NCP170具有500nA的典型超低静电流。这些设备针对电池供电的......
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　　安森美ON Semiconductor stri -NCP115- evk Strata assessment Kit对NCP115系列300mA低静态电流LDOs进行评估。NCP115有0.8V到3.6V的固定输出电压选项。该装置的低静态电流使NCP115优化电池供电的应用。该评估工具可以与Strata环境GUI一起使用。它可以启......
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　　安森美ON Semiconductor stri -NCP3232N- evk Strata评估套件通过可配置的NCP3232N 15A调节器实现Strata硬件评估生态系统。Strata可以无缝评估硬件设备，像这个可配置的NCP3232N调节器。直流调节器可以通过一个简单，易于使用的用户界面来控制，允许用户测量和控制关键调节器功能......
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2021-12-29
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　　安森美ON Semiconductor STR-NCP110-EVK Strata assessment Kit是用于NCP110系列200mA低噪声高PSRR LDOs的。LDOs有0.6V到4V的固定输出电压选项。NCP110具有超低的静态电流，适用于各种电池供电的设备。该评估工具与Strata环境GUI一起使用。这可以启用/......
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2021-11-08
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