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碳化硅
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于独特的“级联编码”电路配置的1200V, 23毫欧器件。在这种配置中，一个常开的SiC JFET与一个Si MOSFET一起封装，产生一个常关的SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si igbt, Si超级结器件或SiC......
Qorv... UF4S... G4碳化...
2024-01-24
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MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解决方案专注于高性能，有助于最大限度地提高系统效率，最小化系统重量和尺寸。Microchip经过验证的SiC可靠性也确保了终端设备在使用寿命期间不会出现性能下降。特性低电容和低栅极电荷内部栅极电阻(ESR)低，开关速度快在高结温下......
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2024-01-23
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如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围
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　　作者：Art Pini　　功耗密集型应用的设计人员需要更小、更轻、更节能的电源转换器，能够在更高电压和温度下工作。在电动汽车 (EV) 等应用中尤其如此，若能实现这些改进，可加快充电速度、延长续航里程。为了实现这些改进，设计人员目前使用基于宽带隙 (WBG) 技术的电源转换器，例如碳化硅 (SiC) 电源转换器。　　与硅 (Si)......
电源转换... 碳化硅 电源转换...
2023-10-31
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碳化硅是什么材料,碳化硅的基本概念、碳化硅在电子领域中的应用
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碳化硅是一种重要的材料，具有许多独特的性质和广泛的应用领域。本文将从四个方面对碳化硅进行详细阐述。一、碳化硅的基本概念碳化硅是由碳和硅元素组成的陶瓷材料，其晶体结构类似于钻石。它具有高温稳定性、耐腐蚀性和高强度等优点，在电子、光电子、机械工程等领域得到广泛应用。首先，碳化硅具有优异的导热性能。由于其晶格结构紧密且原子键强度大，使得它在高温......
碳化硅
2023-10-31
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什么是碳化硅?碳化硅用途有那些?
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　　什么是碳化硅?碳化硅用途有那些?　　碳化硅(英文名Silicon Carbide，简称SiC)是一种化合物材料，由硅和碳元素组成。它具有高熔点、高硬度、高耐热性、高化学稳定性等优良的物理和化学性质。碳化硅可以用于制造电子元器件、陶瓷、高温结构材料、研磨材料等各种工业材料。同时，碳化硅还可以作为半导体材料，在光电子、电力电子等领域得到......
碳化硅
2023-04-26
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碳化硅（SiC）和通往800V电动汽车的道路
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　　电动汽车 (EV) 电池系统从 400V 到 800V 的转变使碳化硅 (SiC) 半导体在牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器中脱颖而出。根据市场研究公司IDTechEx的数据，在从350-400 V到800 V的动力系统转变中，有两个驱动器至关重要：更高的直流快速充电(DCFC)功率水平，如350 kW和......
碳化硅 电动汽车 车载充电...
2023-03-03
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Diodes推出首款碳化硅SBD
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　　Diodes 的新型 SiC 肖特基势垒二极管包括 DSCxxA065 系列，包括 11 款额定电压为 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DSCxx120 系列，包括 8 款额定电压为 1.2kV (2A、5A 和 10A) 的产品。　　Diodes Inc. 发布了首款碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 ......
Diod... 碳化硅 肖特基势...
2023-02-13
17
英飞凌扩大与Resonac在碳化硅材料供应方面的合作伙伴关系
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　　英飞凌与Resonac就碳化硅材料供应签署了新的多年供应和合作协议。　　英飞凌科技股份公司扩大了与Resonac Corp.(前身为昭和电工株式会社)的合作，签署了一项新的碳化硅(SiC)材料供应多年供应和合作协议。　　根据协议，Resonac将为英飞凌提供用于生产SiC半导体的SiC材料，覆盖未来十年预测需求的两位数份额。　　虽然......
英飞凌 碳化硅材... Reso...
2023-01-30
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SiC和半导体垂直整合的复兴
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　　在电动汽车(EV)系统和能源基础设施中，碳化硅(SiC)半导体在处理高功率和导热方面比传统硅更有效的能力现已得到广泛认可。SiC器件有助于更高效地将电力从电池传输到EV系统组件中的电机，从而将EV的行驶里程提高5%至10%。　　新的是芯片制造商如何整合从开发到制造再到封装的SiC供应链部件。随着对先进SiC解决方案的需求不断增长，一个......
电动汽车 碳化硅 晶圆
2022-12-29
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采用碳化硅JFET实现完美开关
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　　碳化硅 (SiC) JFET 坚固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受额定值，并且显着的是，它们在单位芯片面积的FOM导通电阻方面优于所有其他技术 RDS(开启) × 一个，达到接近材料理论极限的值(图1)。这种品质因数直接关系到开关的实际性能及其经济性，与竞争技术相比，每个晶圆的芯片更多，性能相当。　　　　图1：理论极限 RDS(开启......
碳化硅 JFET 堆叠芯片
2022-12-20
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碳化硅 MOSFET 吹捧格纹嵌入式肖特基二极管
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　　东芝开发了一种SiC MOSFET，该场效应管以检查模式排列嵌入式肖特基势垒二极管，以实现低导通电阻和高可靠性。该公司报告说，该设计降低了导通电阻(R上A) 与目前的 SiC MOSFET 相比，减少了约 20%，且可靠性没有损失。　　　　在SiC MOSFET反向操作期间，体二极管中的双极性传导是有害的，因为它会降低导通电阻。......
东芝 肖特基二... 碳化硅
2022-12-20
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意法半导体与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术
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　　　　此次合作的目标是意法半导体在未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术。　　意法半导体和Soitec宣布下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作，意法半导体计划在未来18个月内对Soitec的SiC衬底技术进行认证。此次合作的目标是意法半导体在未来的200mm衬底制造中采用Soitec的SmartSiC技术，为其器......
意法半导... Soit... 碳化硅
2022-12-08
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英飞凌与Stellantis就多年碳化硅芯片供应签署谅解备忘录
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　　　　英飞凌和Stellantis签署了一份谅解备忘录，就碳化硅半导体的潜在多年供应合作。　　英飞凌科技股份公司与Stellantis签署了一份不具约束力的谅解备忘录(MoU)，作为迈向碳化硅(SiC)半导体潜在多年供应合作的第一步。英飞凌将储备制造能力，并在本十年后五年向Stellantis的直接一级供应商供应CoolSiC“裸片”芯......
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2022-12-02
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WBG设备的未来发展方向
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　　　　这些新的半导体材料有什么特别之处，为什么它们被视为硅的替代品?　　近年来，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 在半导体器件市场上取得了越来越大的成功。GaN 现在用于移动设备充电器和充电系统。苹果、三星和小米等公司都选择了基于 GaN 的充电器，这些充电器可提供高功率密度，同时保持甚至减轻这些组件的重量。这些充电器使用 ......
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2022-11-11
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ON Semiconductor 1200v碳化硅二极管的介绍、特性、及应用
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　　　　ON Semiconductor的碳化硅肖特基二极管使用的技术，提供优越的开关性能和更高的可靠性比硅。无反向恢复电流，温度独立开关特性，以及优异的热性能集碳化硅为下一代功率半导体。系统的好处包括高效率、快速操作频率、功率密度增加、电磁干扰降低、系统尺寸和成本降低。　　特性　　易于并联　　浪涌大电流电容　　最大结温:+175°C　......
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STMicroelectronics STPSC40H12C-Y肖特基碳化硅二极管是一种超高性能功率肖特基整流器在TO-247封装。STPSC40H12C-Y具有宽带隙材料，允许设计低VF肖特基二极管结构，额定电压为1200V。STM STPSC40H12C-Y肖特基碳化硅二极管在关断时没有显示恢复，由于肖特基结构，环形模式可以忽略不......
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2022-07-22
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　　安森美半导体NXH40B120MNQ0全碳化硅MOSFET模块包含一个双升压级，由两个40mΩ/1200V碳化硅MOSFET 和两个40A/1200V碳化硅二极管组成。该集成SiC MOSFET和SiC二极管具有较低的传导损耗和开关损耗，使设计人员能够实现高效率和出色的可靠性。NXH40B120MNQ0全碳化硅MOSFET模块包含......
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　　碳化硅SiC 超结晶体管 (SJT)介绍 Super JunctionTransistor　　1、MOSFET反向恢复值很大(Reverse DiodeCharacteristics)，所以一般会建议添加diode。　　2、JFET是一个“常开”性器件，控制方式非常复杂。　　3、SJT是一个“常关”性器件，是替代IGBT下一代技术，......
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2022-05-16
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onsemi M3S 1200 V碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用
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　　onsemi的 1200v M3S平面SiC mosfet是优化的快速开关应用。平面技术可靠地工作在负栅极电压驱动和关闭栅极尖峰。该系列具有最佳的性能时，与18v门驱动器，但也工作良好的15v门驱动器。　　特性　　用于低共源电感的TO247-4LD封装　　15v到18v门驱动器　　M3S技术:22 毫欧 R(DS(ON))具有低E(......
SiC ... ONSE... 碳化硅
2022-03-28
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　　　　ON Semiconductor的1200v SiC mosfet使用了一种技术，与硅相比，该技术提供了优越的开关性能和更高的可靠性。低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。系统的优点包括高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、减少电磁干扰和减小系统尺寸。　　特性　　1200 V级　　低导通电阻　　紧凑的芯片尺寸确保低电......
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