碳化硅场效应管导通电阻的单位表述存在错误，导通电阻的单位通常是毫欧（mΩ），而非“毫欧每小时”。“毫欧每小时”这种单位没有实际物理意义，因为导通电阻是描述器件在导通状态下对电流阻碍作用的一个静态参数，与时间无关。下面为你详细介绍碳化硅场效应管导通电阻的相关内容：

典型导通电阻范围

碳化硅场效应管的导通电阻范围较广，一般在几毫欧到几百毫欧之间，具体数值取决于器件的额定电压、额定电流、封装形式以及制造工艺等因素。

• 低电压、小电流器件：对于一些额定电压较低（如600V以下）、额定电流较小（如几十安培）的碳化硅场效应管，其导通电阻可能低至几毫欧。例如，某些用于消费电子、小型电源适配器等领域的碳化硅MOSFET，导通电阻可能在2 - 10mΩ。

• 高电压、大电流器件：而额定电压较高（如1200V、1700V甚至更高）、额定电流较大（如上百安培）的碳化硅场效应管，导通电阻相对较高，可能在几十毫欧到几百毫欧。比如，在电动汽车电机控制器、大型工业电源等应用中使用的碳化硅场效应管，导通电阻可能在30 - 300mΩ。

影响导通电阻的因素

• 器件结构与设计

• 沟道宽度与长度：沟道宽度越宽、长度越短，导通电阻越小。这是因为更宽的沟道可以提供更多的导电通道，而更短的沟道可以减少载流子在沟道中的传输距离，降低电阻。例如，通过优化芯片的版图设计，增加沟道宽度，可以有效降低导通电阻。

• 外延层参数：外延层的厚度、掺杂浓度等参数也会影响导通电阻。适当增加外延层的掺杂浓度可以降低电阻率，从而减小导通电阻；但过高的掺杂浓度可能会导致器件的其他性能下降，如击穿电压降低。

• 制造工艺

• 晶圆质量：高质量的碳化硅晶圆具有更低的缺陷密度，可以减少载流子的散射，提高载流子迁移率，从而降低导通电阻。例如，采用先进的晶圆生长技术，如物理气相传输法（PVT），可以制备出高质量的碳化硅晶圆。

• 刻蚀与沉积工艺：精确的刻蚀和沉积工艺可以保证器件结构的准确性和一致性，减少界面态和缺陷，降低导通电阻。例如，采用原子层沉积（ALD）技术可以精确控制薄膜的厚度和成分，提高器件的性能。

• 工作温度

• 导通电阻会随着温度的升高而增大。这是因为温度升高会导致碳化硅材料中载流子的散射增加，载流子迁移率下降，从而使电阻率增大。例如，在高温环境下，碳化硅场效应管的导通电阻可能会比常温下增加20% - 50%。

不同应用场景对导通电阻的要求

• 电力电子变换器：在开关电源、逆变器等电力电子变换器中，较低的导通电阻可以减少器件的导通损耗，提高变换器的效率。例如，在高效率的服务器电源中，通常会选择导通电阻较小的碳化硅场效应管，以降低能源消耗。

• 电动汽车：电动汽车的电机控制器对功率器件的导通电阻要求较高。较低的导通电阻可以减少电池能量的损耗，提高电动汽车的续航里程。例如，特斯拉等电动汽车制造商在其车型中采用了导通电阻较低的碳化硅场效应管，以提升车辆的性能和效率。