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ON Semiconductor 1200 V碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性及应用

来源: hqbuy
2022-02-24
类别:基础知识
eye 130
文章创建人 拍明芯城

原标题:ON Semiconductor 1200 V碳化硅(SiC) mosfet的介绍、特性及应用

安森美半导体(ON Semiconductor)的 1200 V 碳化硅(SiC)MOSFET 具有以下介绍、特性及应用:


介绍:


这是安森美半导体推出的一款高性能功率半导体器件,采用了先进的碳化硅技术。


特性:


  • 低导通电阻:减少功率损耗,提高能源转换效率。

  • 高温工作能力:能够在较高的温度环境下稳定运行。

  • 高开关速度:实现快速的导通和关断,减小开关损耗。

  • 高击穿电压:确保在高压应用中的可靠性和安全性。

  • 低栅极电荷:降低驱动电路的复杂性和功耗。

image.png


应用:


  • 电动汽车充电器:提高充电效率,减小充电器的体积和重量。

  • 太阳能逆变器:优化能源转换,提升系统效率。

  • 工业电源:包括服务器电源、通信电源等,降低能耗。

  • 不间断电源(UPS):增强系统的可靠性和性能。


不同的应用场景可以根据具体的功率要求、效率需求和成本考虑来选择合适的 1200 V 碳化硅 MOSFET 型号,并进行相应的电路设计和优化。


责任编辑:David

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