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SiC MOSFET
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关于650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件在重载时温度更低的现象，可以从以下几个方面进行详细分析：一、测试背景与目的650V 60mΩ SiC MOSFET作为一种高性能的功率半导体器件，广泛应用于光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等领域。随着电动汽车市场的快速增长（据HIS报告，电动汽车充电市场......
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2021-09-27
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在功率转换器中，CoolSiC™ MOSFET技术是一项重要的创新，它基于碳化硅（SiC）这一宽禁带半导体材料，为电力电子领域带来了显著的性能提升。以下是对CoolSiC™ MOSFET技术的详细解析：一、技术背景与优势1. 材料特性SiC材料的带隙宽度约为硅的3倍，这使得其临界场强约是硅的10倍。因此，SiC器件能够在更高的电压下工作，......
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安森美半导体NTHL080N120SC1A是一款n通道碳化硅（SiC）MOSFET，该产品以其优越的性能和广泛的应用领域在半导体行业中备受关注。以下是对该产品的详细介绍、特性及应用领域的分析：一、产品介绍NTHL080N120SC1A是安森美半导体推出的一款高性能SiC MOSFET，专为高能效、小外形、强固和高性价比的高频设计而打造。该......
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英飞凌推出的采用高性能AIN（氮化铝）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，在提升功率密度和实现更紧凑的设计方面发挥了重要作用。以下是对该产品的详细分析：一、产品背景与特点升级材料：英飞凌将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN）陶瓷，这种材料具有出色的热导性能，有助于提升模块......
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如何设计SiC MOSFET以提高电动汽车牵引逆变器效率
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2021-06-16
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SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）在驱动电力传动逆变器性能方面展现出显著优势。以下是对SiC MOSFET如何驱动电力传动逆变器性能提升的详细阐述：一、SiC MOSFET的主要特性低导通电阻与低开关损耗：与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET的导通电阻和开关损耗大幅降低。这使得SiC MOS......
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采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
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采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET，在电力电子领域具有显著的优势。以下是对这种封装的详细解析：一、封装优势驱动器源极引脚：传统封装中，源极引脚和栅极驱动环路共享电感，导致栅极电压降低，影响导通速度。具有驱动器源极引脚的封装，通过将源极引脚和栅极驱动环路分开，消除了源极电感对栅极电压的影响，使栅极电压保持稳定，从而......
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2021-01-28
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
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碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其材料特性与器件设计优势，在电动汽车（EV）、工业电源、光伏逆变器等领域展现出显著性能提升。以下从技术原理、性能对比、应用场景及未来趋势展开分析。一、SiC MOSFET的核心技术优势材料特性突破宽禁带宽度（3.26eV）：相比硅（Si）的1.12eV，SiC可承受更高电场强......
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