原标题：650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低

关于650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件在重载时温度更低的现象，可以从以下几个方面进行详细分析：

一、测试背景与目的

650V 60mΩ SiC MOSFET作为一种高性能的功率半导体器件，广泛应用于光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等领域。随着电动汽车市场的快速增长（据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%），对SiC MOSFET的需求也在不断增加。为了验证国产SiC MOSFET在高温重载条件下的性能表现，国内厂商如派恩杰半导体等进行了相关的高温性能测试对比。

二、测试平台与方法

派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台对650V 60mΩ SiC MOSFET进行了高温性能对比测试。该测试平台用于650V/1200V TO247-4 分立SiC MOSFET的开环功率实验、器件系统效率和温升性能测试、双脉冲测试以及电池充放电系统。测试平台最大输入电压可达800Vdc，输出400Vdc，可工作在Buck模式或者Boost模式。

三、测试结果分析

在测试中，派恩杰半导体选择了其650V 60mΩ产品P3M06060K4与某国际知名品牌（C品牌）的4pin 650V 60mΩ SiC MOSFET进行对比。测试结果显示，在高温重载条件下，国产P3M06060K4器件表现出更优的性能：

1. 温度表现：

• 在100kHz条件下，当输出功率达到4kW时，P3M06060K4器件的温度为86℃，而C品牌器件的温度为96℃。随着功率的增加，P3M06060K4器件在更高功率（如4.7kW）下才达到100℃的温度，而C品牌器件的温度始终保持在96℃左右。

• 在65kHz条件下，类似的结果也被观察到。在4.3kW时，P3M06060K4器件的温度为80℃，而C品牌器件的温度达到102℃。当功率增加到5kW时，P3M06060K4器件的温度才接近100℃。

2. 效率表现：

• 在轻载时，两款器件的效率基本一致，均达到99%。但在重载时，P3M06060K4器件的效率更高。

四、原因分析

P3M06060K4器件在高温重载条件下表现出更优的性能，主要得益于其较低的导通电阻（Rdson）随温度变化的特性。在高温下，P3M06060K4器件的导通损耗更小，从而减少了热量的产生和温度的上升。

五、结论

综上所述，国产650V 60mΩ SiC MOSFET在高温重载条件下表现出更低的温度和更高的效率，这证明了国产SiC MOSFET在性能上已经达到甚至超过了国际一流水平。随着技术的不断进步和市场的扩大，国产SiC MOSFET有望在更多领域得到广泛应用。