采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET


原标题:采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET,在电力电子领域具有显著的优势。以下是对这种封装的详细解析:
一、封装优势
驱动器源极引脚:
传统封装中,源极引脚和栅极驱动环路共享电感,导致栅极电压降低,影响导通速度。
具有驱动器源极引脚的封装,通过将源极引脚和栅极驱动环路分开,消除了源极电感对栅极电压的影响,使栅极电压保持稳定,从而提高导通速度,降低导通损耗。
低电感表贴封装:
漏极引脚和源极引脚的电感比传统封装小得多。
漏极引脚的接合面积大,源极引脚由多根短引线并联连接,进一步降低了封装电感。
封装电感的减小,有助于加快SiC MOSFET的关断速度,降低关断损耗。
二、性能表现
开关速度:
采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET,开关速度不受源极引脚电感导致的电压降影响,因此开关速度更快。
开关损耗:
导通损耗和关断损耗均显著降低,尤其是在大电流条件下,效果更加明显。
封装电感的减小,使得开关过程中的过电压和过电流得到有效控制,进一步降低了开关损耗。
效率:
在图腾柱PFC等应用中,采用这种封装的SiC MOSFET可实现高效率的功率转换。
例如,在图腾柱PFC中,采用RDS(ON)为60mΩ的650V SiC MOSFET时,转换效率可超过98%。
三、应用场景
车载充电器:
采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET,可实现紧凑且高效的车载充电器设计。
这种封装形式有助于降低损耗、提高效率和功率密度,满足车载充电器的性能要求。
电力电子系统:
在需要快速开关速度和低损耗的电力电子系统中,这种封装的SiC MOSFET也表现出色。
例如,在逆变器、整流器和DC-DC转换器等应用中,均可采用这种封装的SiC MOSFET来提高系统性能。
四、总结
综上所述,采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET在电力电子领域具有显著优势。其驱动器源极引脚设计消除了源极电感对栅极电压的影响,提高了导通速度并降低了导通损耗;低电感表贴封装则减小了封装电感,加快了关断速度并降低了关断损耗。这种封装的SiC MOSFET在车载充电器、电力电子系统等应用中表现出色,是实现高效、紧凑和可靠电力电子系统的关键组件之一。
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