原标题：SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？

SiC MOSFET替代Si MOSFET时，自举电路在一定程度上是适用的，但需要注意一些关键问题和调整。

自举电路能够极大地简化驱动电源的设计，它只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管，从而节省成本。在SiC MOSFET驱动中，常规自举电路的基本工作原理保持不变：当下管导通时，电源通过自举二极管和电阻对自举电容进行充电；当下管关断后，自举电容提供电源对上管进行驱动。

然而，由于SiC MOSFET与Si MOSFET在特性上存在一些差异，因此在应用自举电路时需要注意以下几点：

1. 上管驱动电压降幅：由于自举电容的放电和二极管压降的存在，上管驱动电压会有一定降幅。这要求自举电路中的组件选择需要更加精细，以确保上管能够得到足够的驱动电压。同时，整个自举电路对杂散参数有较高要求。

2. 充电时间调整：为了保证上管的正常开关，需要调整PWM信号，为自举电容预留足够的充电时间。这可以通过优化PWM信号的占空比和频率来实现。

3. 组件选择：自举二极管需要选择具有足够耐压和载流能力的型号，以承受母线级别的大电压和瞬间充电电流。自举电容则需要选择寄生电感尽可能小的类型，以防止充电时产生LC震荡。

4. 功率范围限制：由于自举电路在设计和实现上存在一定的复杂性，并且要求较高的组件性能，因此建议在中低功率范围内使用。在高功率应用中，可能需要考虑其他更复杂的驱动方案。

综上所述，SiC MOSFET替代Si MOSFET时，自举电路在一定程度上是适用的，但需要根据SiC MOSFET的特性和应用需求进行适当的调整和优化。通过精细的组件选择和电路设计，可以确保自举电路在SiC MOSFET驱动中的可靠性和性能。