MCC SICW400N170A 1700V SiC MOSFET的介绍、特性、及应用
microcommercial Components (MCC) SICW400N170A 1700V SiC MOSFET具有400毫欧超低导通电阻,有助于最大限度地减少传导损耗并提高电源应用中的能效。这种SiC MOSFET具有优异的热稳定性,可以在高结温(高达+175°C)下工作,确保在恶劣和具有挑战性的条件下可靠运行。1700V的高阻断电压能力和低电容能够实现高速开关,提高频率敏感应用的性能。SICW400N170A MOSFET采用耐用的TO-247AB封装,适用于各种电力系统设计和应用。典型应用包括太阳能逆变器、功率因数校正(PFC)、电动汽车充电站、pc和服务器的高效电源以及可再生能源系统。
特性
高阻压能力(1700V)
超低导通电阻(400毫欧)提高效率
低电容使开关更快
SiC MOSFET技术
优异的热稳定性
高工作结温(至+175°C)
-55℃至175℃工作结温范围
标准TO-247AB封装
无卤素“绿色”装置
符合UL 94 V-0可燃性等级
无铅表面处理/符合RoHS标准
应用程序
工业:
高压电源转换器
电动汽车充电站
焊接设备
可再生能源:
太阳能系统
储能系统(ESS)
计算:
不间断电源(UPS)
为pc和服务器提供高效电源
基站电源
网络电源管理系统
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。