关于碳化硅二极管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪个更常用的问题，实际上取决于具体的应用场景和需求。两者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，在电力电子领域具有广泛的应用，但各自具有不同的特性和优势。

SiC MOSFET以其低电容值、高击穿电压、低导通电阻、高系统效率和快速开关速度等特点，在电动汽车、光伏发电、智能电网和轨道交通等领域中发挥着至关重要的作用。特别是在电动汽车中，SiC MOSFET被广泛应用于电机驱动系统中的逆变器，以提高电机系统的效率和可靠性。此外，SiC MOSFET还适用于高压直流输电系统和电力配电，以及工业电源和电机驱动应用。

而SiC二极管（SiC SBD）则以其零反向恢复电流、电阻正温度系数特性、器件性能受温度影响小、超高开关速度和超低开关损耗等特点，在高频和高效率的应用场景中备受青睐。例如，在射频电路、高速开关电源和无线通信等领域，SiC SBD能够提供更好的性能和稳定性。此外，SiC SBD还因其良好的温度稳定性和高耐压特性而被用于高温和高压环境中，如航空航天和军事电子等领域。

因此，无法一概而论地说哪个器件更常用。在实际应用中，应根据具体需求和场景选择合适的器件以发挥其最大优势。例如，在需要高频率和高效率的应用中，SiC SBD可能更受欢迎；而在需要高耐压和低导通电阻的应用中，SiC MOSFET则可能更具优势。

总的来说，SiC MOSFET和SiC SBD都是重要的碳化硅功率半导体器件，各自具有独特的特性和优势。随着技术的不断进步和应用的不断拓展，它们将在更多领域发挥更大的作用。