microcommercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET在18V栅源电压下的导通电阻仅为28毫欧。该n沟道MOSFET与流行的D2PAK 4引脚配合良好，并包含开尔文源引脚，可降低开关损耗并显着提高能效。这款SICW028N120A4 MOSFET具有高雪崩坚固性，能够在175°C的高结温下工作。该MOSFET确保了卓越的热性能和高效的热管理，无需额外的冷却组件，同时提高了产品的可靠性和使用寿命。SICW028N120A4 MOSFET是一个强大而可靠的解决方案，适用于在恶劣环境下处理的大量工业和商业应用。

特性

• SiC MOSFET技术

• 1200V阻断电压能力

• 28毫欧低导通电阻

• 用于增强开关的开尔文源引脚

• 雪崩坚固耐用

• 热稳定性好

• 高达175°C的高工作结温

• d2pak兼容4引脚TO-247-4封装

• 无卤“绿色”设备

• 环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级

• 无铅完成/通过无铅认证

应用程序

• 工业:

• 马达驱动器

• 工业电源

• 焊接设备

• 高压DC-DC变换器

• 电池充电器

• 可再生能源:

• 太阳能逆变器

• 储能系统(ESS)

• 计算:

• 用于数据中心的高效电源

• UPS (uninterrupted Power Supply)系统

尺寸图