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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块(低开关损耗)的介绍、特性、及应用
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SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块提供低开关损耗，低结壳热阻，非常坚固，易于安装。这些模块直接安装在散热器(隔离封装)，并包括一个开尔文参考稳定运行。所有部件都经过严格测试，可承受1350V以上的电压。这些模块的突出特点是稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块工作在175°C结温下，符合rohs标准。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压dc - dc转换器。
特性
高速开关SiC mosfet
可靠体二极管
所有部件均测试到1350V以上
直接安装到散热器上(隔离封装)
175°C结温
稳定运行的开尔文参考值
低开关损耗
低结壳热阻
非常坚固耐用，易于安装
通过无铅认证
应用程序
光伏逆变器
电池充电器
储能系统
高压dc - dc变换器
责任编辑：David
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