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MCBS高电流工业强度mosfet是n沟道mosfet，可为工业设计提供生产力和可持续性的结合。MCBS2x组件有100V和40V两种选择，采用to -263-7封装，可满足各种工业设备和系统的高温、高功率需求。这些mosfet在高达+175°C的结温下提供可靠的性能，采用低外形，超低2毫欧 R(DS(on))和分栅沟槽(SGT)技术。其......
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2024-01-22
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率......
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2024-01-22
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onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III型MOSFET的介绍、特性、及应用
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onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ) MOSFET。这种功率MOSFET提供更少的传导损耗，优越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET优化了主体二极管的反向恢复性能，从而消除了额......
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2024-01-19
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Vishay POWERPAK 1212 mosfet的介绍、特性、及应用
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Vishay POWERPAK 1212 mosfet是开关应用的理想选择，其导通电阻约为1毫欧，可处理高达85A的电压。Vishay POWERPAK 1212引入了一种封装技术，以降低高性能芯片降级的风险。该封装在紧凑的设计中提供超低热阻抗，使其成为空间受限应用的理想选择。特性开关应用的理想选择导通电阻约1毫欧，可处理高达85A的电压......
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2024-01-19
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基于2N3904 NPN型晶体管和IRF520、IRF530 MOSFET实现小信号放大电路设计方案
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　　小信号放大电路设计方案　　设计小信号放大电路的方案需要考虑多个因素，包括放大倍数、频率响应、稳定性等。以下是一个基本的小信号放大电路设计方案：　　确定放大倍数：首先，你需要确定所需的放大倍数。这可以通过信号的输入和输出幅度之间的比值来计算得到。放大倍数通常用增益(Gain)表示，Gain = Vout / Vin。根据你的需求，选择......
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2023-07-31
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PANJIT 40V增强模式mosfet的介绍、特性、及应用
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　　PANJIT 40V增强模式mosfet是低压mosfet，导通电阻低于1欧姆。这些低压mosfet符合AEC-Q101标准，通常用于汽车级设备。40V增强模式mosfet是无铅的，符合欧盟RoHS 2.0。典型的应用包括低功耗系统产品，如笔记本电脑、PC主板、平板电脑和其他便携式消费产品。　　特性　　40V低压mosfet　　A......
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2023-07-05
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小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路设计方案
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　　小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路设计方案　　以下是一个简单的扩流降压电路的设计概述：　　材料清单：　　MC34063 DC-DC升降压转换器芯片　　小信号N沟道MOSFET(用于桥驱动)　　输入电源　　扩流负载　　其他必要的电子元件(电容、电阻等)　　电路设计步骤：　　确定输入电源电压和输出电压要求。MC3406......
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2023-06-30
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Nexperia 50V/55V mosfet适用于36V直流电机的介绍、特性、及应用
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　　Nexperia 50V/55V mosfet用于36V直流电机提供330A或410A的连续电流LFPAK88封装。逻辑电平，门驱动，n通道增强模式mosfet是电池隔离和直流电机控制家族的mosfet成员。该器件使用Nexperia独特的“SchottkyPlus”技术，提供高效率和低峰值性能，通常与集成肖特基或肖特基类二极管的m......
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2023-04-20
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　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
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2023-04-18
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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用
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　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1......
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2023-04-12
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DMTH46M7SFVWQ n通道增强模式MOSFET的介绍、特性、及应用
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　　DMTH46M7SFVWQ n通道增强模式MOSFET是一种AEC-Q101合格的MOSFET，具有低R(DS(ON))，确保最小的导通损耗。这种MOSFET具有优秀的QGD ×R(DS(ON))产品(FOM)和可湿性侧面，用于改进光学检查。DMTH46M7SFVWQ MOSFET是无铅的，符合rohs标准，并支持生产部件批准流......
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2023-03-31
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AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封装的介绍、特性、及应用
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　　东芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通过将高散热封装L-TOGL(大型晶体管轮廓鸥翼引线)与U-MOS IX-H芯片工艺相结合，实现了超低导通电阻，高漏极电流额定值和高散热。　　L-TOGL封装在尺寸上与现有的to - 220sm (W)封装相当，但是，XPQR3004PB大大提高了电流......
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2023-03-02
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第2代SGT MOSFET用于DC/DC转换器的介绍、特性、及应用
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　　PANJIT的第二代屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET具有优异的性能系数(FOM)质量，为砖型模块中的DC/DC变换器拓扑提供了高效的设计解决方案。该100v SGT系列提供18个标准和17个逻辑级部件。PANJIT的晶圆技术使第2代SGT mosfet能够产生低栅电荷和R(DS(ON))，以最大限度地减少传导损耗，并创建优秀的......
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2023-03-02
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二极管合并AP74700Q理想二极管MOSFET控制器的介绍、特性、及应用
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　　　　二极管。AP74700Q理想二极管MOSFET控制器是一种汽车兼容的设备，当与适当的外部n通道功率MOSFET使用时，在单向功率路径和反向电压中提供低损耗20mV正向压降整流器。AP74700Q支持3.2V到65V的广泛输入工作范围，允许控制许多流行的直流轨道电压，如12V, 24V或更高的汽车电池系统。3.2V输入电压支持适用......
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2023-02-15
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MOSFET对使单刀双掷开关变得简单
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　　借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 (SPDT) 开关，以隔离电路的一部分，并在电路其余部分关闭时从次级电源为其供电，以便待机工作 (图1 ).通过使用互补对，您可以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降，并且两个M......
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2023-02-02
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单MOSFET电路栅极和调制
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　　立式小信号MOSFET至今仍有用途，本设计理念提出了两个简单的例子：AND栅极和幅度调制器。　　图1 图中显示了标准双输入AND栅极及其MOSFET(以及单电阻或双电阻)实现。　　　　图1 双输入和栅极 (a) 和 MOSFET 实现 (b)　　输入 A 和输入 B 在这里连接　　　　到由 15V 电池供电的单极开关。输入A连接到MO......
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2023-02-02
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Rectron RM2312 n通道增强模式功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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　　　　Rectron RM2312 n通道增强模式功率MOSFET使用先进的沟槽技术提供优秀的R(DS(ON))。MOSFET具有低栅电荷和低至2.5V栅电压的工作特性。该装置适用于电池保护或其他开关应用。　　特性　　V(ds) = 20v, i (d) 4.5a　　R(DS(ON))小于45毫欧 @ V(GS)=1.8V　　R(DS......
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2023-01-11
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碳化硅 MOSFET 吹捧格纹嵌入式肖特基二极管
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碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）在电力电子领域的应用中，因其出色的物理特性而备受瞩目。格纹嵌入式肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）的引入，为碳化硅MOSFET的性能提升带来了显著的效果。以下是关于碳化硅MOSFET及其格纹嵌入式肖特基二极管的详细分析：一、碳化硅MOSFET的优势高温工作特性：......
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2022-12-20
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ROHM Semiconductor RV4E031RP HZG小信号MOSFET的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor RV4E031RPHZG小信号MOSFET的介绍ROHM Semiconductor的RV4E031RPHZG是一款超紧凑型车规级小信号MOSFET，专为汽车应用设计。它采用了Wettable Flank成型技术，提供了车辆应用所需的封装侧面电极高度（130μm），从而确保了卓越的安装可靠性和一致的焊......
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2022-11-28
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ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性及应用如下：介绍RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N型通道（N-CH）的MOSFET。该型号晶体管采用TO-220AB封装，适用于各种需要高电流、高电压控制的......
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2022-11-28
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