立式小信号MOSFET至今仍有用途，本设计理念提出了两个简单的例子：AND栅极和幅度调制器。

　　图1 图中显示了标准双输入AND栅极及其MOSFET(以及单电阻或双电阻)实现。

　　图1 双输入和栅极 (a) 和 MOSFET 实现 (b)

　　输入 A 和输入 B 在这里连接

　　到由 15V 电池供电的单极开关。输入A连接到MOSFET的漏极;输入-B 到其栅极端子。标记为 Output-C 的源端子是 AND 门的输出。电路中的 MOSFET 处于截止或饱和模式。

　　当在栅极端子上施加逻辑低电平 (0V) 时，MOSFET 工作在截止模式，MOSFET 的漏极和源极端子之间存在高阻抗。类似地，当在栅极端子上施加高电压 (15V) 时，MOSFET 在饱和模式下工作，并且 MOSFET 的漏极和源极端子之间存在低阻抗。

　　图2 两个输入的模拟示例 = 1

　　当然，NAND栅极可以通过添加M2和R3来形成输出逆变器来实现。

　　图3 双输入 NAND 栅极 (a) 和 MOSFET 实现 (b)

　　为了更多 模拟 MOSFET应用，考虑这个简单的AM调制器。

　　图4 场效应管幅度调制器

　　电路

　　由一个 N 沟道 MOSFET、两个电阻器和一个肖特基二极管组成。调制信号， V-sig(t)， 连接到 MOSFET 的漏极。载波信号， V-卡尔(T) ，连接到栅极端子。调幅输出信号， V-输出(T) ，是从源终端获取的。

　　载波信号是方波，由于MOSFET的栅极连接到载波，MOSFET将以该频率打开和关闭。导通时，漏极上的任何电压都将通过MOSFET并出现在源极端子上。当MOSFET关断时，R2会将输出拉至地。

　　为了正常工作，载波信号的峰峰值电压应是调制信号峰峰值电压的两倍。肖特基二极管可防止调幅输出信号成为双极性信号。

　　图5 25kHz 12V 时的仿真结果P-P 载波和 1kHz 6VP-P 正弦调制

　　图6 如上所述，具有方波调制