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Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介绍、特性、及应用
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原标题：Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介绍、特性、及应用
Vishay / Siliconix公司的SISH892BDN N-Channel 100V MOSFET是一个沟槽型场效应管 第四代功率MOSFET具有100% R(g)和UIS测试。SISH892BDN MOSFET提供100V V(DS)， 20A I(D)和8nC Q(g)。Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFET采用PowerPAK 1212-8SH封装，具有工作结和存储温度范围为-55°C至+150°C。
SISH892BDN n通道100V MOSFET是高功率密度DC/DC，同步整流和LED照明应用的理想器件。
特性
TrenchFET 第四代功率MOSFET
100% R(g)和UIS测试
应用程序
高功率密度DC/DC
同步整流
LED照明
尺寸及引脚
责任编辑：David
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