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Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用

来源: hqbuy
2022-07-11
类别:基础知识
eye 8
文章创建人 拍明芯城

原标题:Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用


    Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet在TO-220 FULLPAK封装中采用第四代E系列技术。SiHF080N60E mosfet提供了一个低值(FOM) R(on) x Q(g)和一个低有效电容(C(o(er)))。Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet具有650V漏源极电压63nC总栅电荷。

    SiHF080N60E E系列功率mosfet是服务器、电信电源、开关模式(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源的理想选择。

    特性

    • 第四代E系列技术

    • 低数值(FOM) R(on) x Q(g)

    • 低有效电容(C(o(er))

    • 降低开关和导通损耗

    • 雪崩额定能量(UIS)

    应用程序

    • 服务器电源、电信电源

    • 开关电源(SMPS)

    • 功率因数校正电源(PFC)

    • 照明

      • 高强度放电(HID)

      • 荧光灯镇流器照明

    • 工业

      • 焊接

      • 感应加热

      • 马达驱动器

      • 电池充电器

      • 太阳能(光伏逆变器)


    线路图


    责任编辑:David

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