原标题：Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高性能的半导体器件，以下是对其的介绍、特性及应用的详细概述：

介绍

Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是专为电信、工业和计算应用设计的高效率、高功率密度解决方案。它采用了先进的E系列超级结技术，并封装在顶部冷却的PowerPAK 8 x 8LR封装中，以提供出色的热性能和温度循环能力。

特性

1. 低导通电阻：与上一代器件相比，SiHF080N60E的导通电阻降低了27%，这有助于减少传导损耗，提高能源效率。

2. 低栅极电荷：栅极电荷（用于功率转换应用的600V MOSFET的关键性能值(FOM)）的电阻倍降低了60%，这意味着开关损耗的减少，进一步提高了整体效率。

3. 高效封装：采用10.42 mm × 8 mm × 1.65 mm的顶部冷却PowerPAK 8 × 8LR封装，占地面积比D(2)PAK小50.8%，高度降低66%。由于顶部冷却设计，结壳热阻极低，为+0.25°C/W，允许在相同的导通电阻水平下比D(2)PAK高46%的电流，实现更高的功率密度。

4. 优异的热性能：由于封装采用顶侧冷却，具有出色的热性能，能够更有效地管理热量，确保器件在高功率应用中的稳定性和可靠性。

1. 优化的开关性能：MOSFET的典型有效输出电容C(o(er))和C(o(tr))分别为79 pF和499 pF，这些参数有助于改善功率因数校正(PFC)、半桥和双开关正向设计等硬开关拓扑中的开关性能。

2. 低FOM值：SiHF080N60E具有业界最低的3.1 欧姆*nC导通电阻倍栅极电荷FOM，这是衡量MOSFET在功率转换应用中效率的重要指标。

应用

SiHF080N60E E系列功率MOSFET的典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机、数据存储、UPS（不间断电源）、高强度放电(HID)灯和荧光镇流器、通信SMPS（开关电源）、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动以及电池充电器等。这些应用通常需要高效率、高功率密度和出色的热管理性能，而SiHF080N60E正好能够满足这些需求。

总之，Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率MOSFET是一款高效、高功率密度的半导体器件，其卓越的性能和广泛的适用性使其成为电信、工业和计算应用中的理想选择。