Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用
原标题:Vishay/Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet的介绍、特性、及应用
Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet在TO-220 FULLPAK封装中采用第四代E系列技术。SiHF080N60E mosfet提供了一个低值(FOM) R(on) x Q(g)和一个低有效电容(C(o(er)))。Vishay / Siliconix SiHF080N60E E系列功率mosfet具有650V漏源极电压63nC总栅电荷。
SiHF080N60E E系列功率mosfet是服务器、电信电源、开关模式(SMPS)和功率因数校正(PFC)电源的理想选择。
特性
第四代E系列技术
低数值(FOM) R(on) x Q(g)
低有效电容(C(o(er))
降低开关和导通损耗
雪崩额定能量(UIS)
应用程序
服务器电源、电信电源
开关电源(SMPS)
功率因数校正电源(PFC)
照明
高强度放电(HID)
荧光灯镇流器照明
工业
焊接
感应加热
马达驱动器
电池充电器
太阳能(光伏逆变器)
线路图
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。