产品分类

Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET�0�3 Gen IV功率MOSFET技术。SiR186LDP MOSFET具有超低RDS Qg品质因数 （FOM），经过调谐，可实现最低RDS Qoss FOM。Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道 60V （D-S） MOSFET非常适合用于同步整流、一次侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关应用。