0 卖盘信息
BOM询价
您现在的位置: 首页 > 电子资讯 >基础知识 > Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成电源级的介绍、特性、及应用

Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成电源级的介绍、特性、及应用

来源:
2021-09-14
类别:基础知识
eye 14
文章创建人 拍明

原标题:Vishay/Siliconix DrMOS SiC8x集成电源级的介绍、特性、及应用


    Vishay Siliconix DrMOS SiC8x集成功率级为同步降压应用进行了优化,以提供更高的电流、效率和功率密度性能。碳化硅(SiC)功率级使电压调节器设计能够提供每相连续电流。SiC8x每相电流可达80A。内部功率mosfet采用TrenchFETGen IV技术,提供行业基准性能,减少开关和传导损耗。SiC8x集成了一个先进的MOSFET门驱动IC,具有高电流驱动能力,自适应死区控制,和集成自举开关,一个温度监视器,警告系统过度结温度。


    特性

    • 热增强PowerPAKMLP56-39L包

    • 利用集成肖特基二极管优化LS MOSFET开关性能

    • 高达80A的连续电流

    • 高频操作高达2MHz

    • 3.3V / 5V PWM逻辑与三态和hold off

    • PWM最小可调时间30ns

    • 使用GLCTRL引脚在轻负载下的二极管仿真模式,在满载范围内实现高效率

    • 低PWM传播延迟(<20 ns)

    • 电流传感器(I(MON))

    • 温度监控(T(星期一))

    • 在温度警报

    • HS MOSFET过流和短警报

    • VDRV和引导的电压不足锁定


    应用程序

    • 同步降压转换器

    • 用于CPU、GPU和内存的多相vrd

    • DC / DC VR模块


    责任编辑:David

    【免责声明】

    1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。

    2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。

    3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。

    4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。

    拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。

    相关资讯