原标题：Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET的介绍、特性、及应用

Vishay/Siliconix SISH892BDN是一款N通道（N-Channel）的100V MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该MOSFET采用了TrenchFET Gen IV技术，旨在提供高性能的开关应用解决方案。

特性

1. 电气参数：

• 漏源极击穿电压（Vds-漏源极击穿电压）：100 V

• 连续漏极电流（Id-连续漏极电流）：20 A

• 漏源导通电阻（Rds On-漏源导通电阻）：在VGS=10V时，最大值为0.0304Ω；在VGS=4.5V时，最大值为0.0347Ω

• 栅极电荷（Qg）：典型值为8 nC

• 栅源极阈值电压（Vgs th-栅源极阈值电压）：2.4 V

2. 物理特性：

• 封装/箱体：PowerPAK-1212-8

• 安装风格：SMD/SMT（表面贴装技术）

• 晶体管极性：N-Channel

• 通道数量：1 Channel

1. 环境适应性：

• 工作温度范围：-55°C至+150°C

• 符合RoHS指令2002/95/EC

2. 性能特性：

• 100% Rg和UIS（无钳位电感开关）测试

• 基于Vishay第四代系列超级结技术，具有极低的品质因数 (FOM)

• 低有效输出电容(Co(er)和Co(tr))，可降低导通与开关损耗

应用

Vishay/Siliconix SISH892BDN n通道100V MOSFET由于其高性能和稳定性，广泛应用于各种需要高效能开关的电路中，包括但不限于：

1. DC/DC转换器：在电源管理系统中，作为DC/DC转换器中的开关元件，实现电压的转换和调节。

2. 电信/服务器：在电信设备和服务器中，用于电源分配和电源管理电路，确保设备的稳定运行。

3. 工业应用：在工业自动化和电机控制系统中，作为开关元件，控制电机的运行和停止。

以上信息仅供参考，具体使用时还需根据具体电路和应用环境选择合适的参数和配置。