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英飞凌CoolSiC G2 1200 V碳化硅MOSFET分立器件的介绍、特性、及应用
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英飞凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先进的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中最低的损耗和最高的运行可靠性。分立CoolSiC MOSFET产品组合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V电压等级，导通电阻额定值从7 毫欧到1000 毫欧。CoolSiC沟槽技术可实现灵活的参数设置......
英飞凌 Cool... 碳化硅M...
2024-04-19
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英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet的介绍、特性、及应用
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英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，实现更低的能量损耗，从而在功率转换过程中转化为更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet为各种功率半导体应用提供了优势，如光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站的功率损耗比前几代产品减少了......
英飞凌 Cool...
2024-04-18
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英飞凌完善SiC MOSFET沟槽技术 200V CoolSiC G2 MOSFET
英飞凌完善SiC MOSFET沟槽技术 200V CoolSiC G2 MOSF...
　　与上一代产品相比，英飞凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 将存储能量和充电量提高了 20%。第二代 CoolSiC 沟槽 MOSFET 继续利用碳化硅的性能属性，有助于减少功率转换过程中的能量损耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 对硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数进行了改进。这些器件的快速......
英飞凌 MOSF... Cool...
2024-03-11
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英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介绍、特性、及应用
英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet的介绍、特性、及应用
英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的电力电子应用解决方案。英飞凌G2 mosfet在25°C时的额定电压为1200V，在+100°C时的I(DDC)为6.2A，在18V栅源电压时的R(DS(on))为233.9毫欧。这些mosfet具有优异的电气特性和极低的开关损耗，能够实现高效的工作。mosfet专为过载条......
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2024-03-05
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英飞凌CoolSiC汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet双向车载充电器的介绍、特性、及应用
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英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁......
英飞凌 Cool... 车载充电...
2024-01-25
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、...
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率......
英飞凌 Cool... MOSF...
2024-01-22
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英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块FF4MR12W2M1H的介绍、特性、及应用
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英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块为电动汽车充电和其他逆变器设计人员提供了前所未有的效率和功率密度水平。当碳化硅(SiC)半导体用作开关时，在保持高可靠性的同时，允许更高的工作温度和开关频率，从而提高了整个系统的效率。英飞凌的1200V SiC MOSFET模块系列提供卓越的栅极氧化物可靠性，这得益于其最先进的沟槽设计。这些......
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2023-12-07
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功率转换器中CoolSiC MOSFET技术解析
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在功率转换器中，CoolSiC™ MOSFET技术是一项重要的创新，它基于碳化硅（SiC）这一宽禁带半导体材料，为电力电子领域带来了显著的性能提升。以下是对CoolSiC™ MOSFET技术的详细解析：一、技术背景与优势1. 材料特性SiC材料的带隙宽度约为硅的3倍，这使得其临界场强约是硅的10倍。因此，SiC器件能够在更高的电压下工作，......
功率转换... 低导通电... 集成二极...
2021-09-22
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在双向逆变器应用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的优势
在双向逆变器应用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的优势
在双向逆变器应用中采用CoolSiC™ MOSFET的优势主要体现在以下几个方面：一、提升效率降低损耗：CoolSiC™ MOSFET具有更低的开关损耗和导通损耗，这得益于其优异的开关性能和低导通电阻。在双向逆变器中，这种低损耗特性能够显著提升能量转换效率，减少能源浪费。高反向恢复电荷性能：与硅MOSFET相比，CoolSiC™ MOSF......
双向功率... 无芯变压... 栅极驱动...
2021-09-18
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
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英飞凌推出的全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，以其出色的性能和效率，在电力电子领域引起了广泛关注。以下是对该系列产品的详细分析：一、产品概述英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）作为全球领先的半导体科技公司，近期推出了650 V CoolSiC Hybrid IGBT单......
肖特基二... 不间断电... DC-D...
2021-08-11
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英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
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英飞凌推出的采用高性能AIN（氮化铝）陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，在提升功率密度和实现更紧凑的设计方面发挥了重要作用。以下是对该产品的详细分析：一、产品背景与特点升级材料：英飞凌将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN）陶瓷，这种材料具有出色的热导性能，有助于提升模块......
太阳能系... 导通电阻 散热器
2021-08-10
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新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升
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新型车用650V CoolSiC™混合分立器件在快速开关车载充电器（OBC）应用中确实实现了显著的性能提升。以下是对该器件及其性能提升的详细分析：一、器件概述新型车用650V CoolSiC™混合分立器件由英飞凌科技公司推出，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和一个CoolSiC肖特基二......
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2021-04-09
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Fronius太阳能逆变器选择英飞凌CoolSiC技术
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Fronius太阳能逆变器选择英飞凌CoolSiC技术，这一决策体现了双方在高效能源转换技术领域的深入合作。以下是关于这一选择的详细分析：一、技术背景Fronius太阳能逆变器：Fronius公司是一家在太阳能逆变器领域具有显著影响力的企业。其推出的Symo GEN24 Plus太阳能逆变器采用了先进的技术，旨在提高能源转换效率和系统可靠......
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2020-12-08
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