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英飞凌CoolSiC汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet双向车载充电器的介绍、特性、及应用
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英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁......
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2024-01-25
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
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英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率......
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2024-01-22
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英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块FF4MR12W2M1H的介绍、特性、及应用
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英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块为电动汽车充电和其他逆变器设计人员提供了前所未有的效率和功率密度水平。当碳化硅(SiC)半导体用作开关时，在保持高可靠性的同时，允许更高的工作温度和开关频率，从而提高了整个系统的效率。英飞凌的1200V SiC MOSFET模块系列提供卓越的栅极氧化物可靠性，这得益于其最先进的沟槽设计。这些......
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2023-12-07
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功率转换器中CoolSiC MOSFET技术解析
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　　功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此，现在仅在低压环境（<600 V）下才可能使用的解决方案现在也可以在更高的电压下使用。结果是最高的效率，更高的开关频率，更少的散热和节省空间–这些优点反过来......
功率转换... 低导通电... 集成二极...
2021-09-22
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在双向逆变器应用中采用 CoolSiC TM MOSFET 的优势
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　　随着业界不断转向可再生能源，人们越来越关注发电和储能技术，目的是更充分利用风能和太阳能等间歇性的能源供应。电池是常见的储能解决方案，在电动汽车市场技术进步的不断驱动下，储能成本正在下降。这为从家庭到公用事业的所有不同规模储能应用开辟了道路。随着能源供应模式转向可再生，传统的矿物燃料发电在减少，通过使用分布式存储将交流电通过逆变器回馈到......
双向功率... 无芯变压... 栅极驱动...
2021-09-18
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
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　　近日，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开......
肖特基二... 不间断电... DC-D...
2021-08-11
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英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL CoolSiC MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
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　　近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。升级为高......
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2021-08-10
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新型车用650 V CoolSiC™混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升
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　　英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案，除支持双向充电之外，还......
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2021-04-09
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Fronius太阳能逆变器选择英飞凌CoolSiC技术
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奥地利的Fronius公司推出了Symo GEN24 Plus太阳能逆变器，该逆变器的Multiflow技术使其适用于支持能源自给自足的各种应用。除了提供直接在家庭中使用的电源外，它还具有用于储能系统的接口。此外，混合逆变器专为热水供应系统和电动汽车充电而设计，可以连接到外部系统。新型太阳能逆变器使用德国Infineon的碳化硅（SiC）......
太阳能逆... Fron... Cool...
2020-12-08
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英飞凌推出62mm CoolSiC™模块，为碳化硅开辟新应用领域
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　　该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时,可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计尺寸更小的逆变器,从而降低整体系统成本。　　它采用62mm标准基板和螺纹接口,具有高鲁棒性的结构设计......
Cool...
2020-07-16
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轻松驱动CoolSiC™ MOSFET：栅极驱动设计指南
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　　由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗？　　引言　　选择适当的栅极电压值是设计所有栅极驱动的关键。借助英飞凌的CoolSiC MOSFET技术，设计人员能够选择介于15......
栅极驱动
2020-06-10
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英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
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　英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。　　“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/......
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2020-03-02
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英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平
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英飞凌
2020-03-02
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基于Infineon公司的1200V CoolSiC MOSFET评估方案
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　　infineon公司的评估板EVAL-IGBT-1200V-TO247PLUS是用来评估TO-247 3引脚/4引脚封装的1200V CoolSiC™ MOSFET的实验室产品,具有两种工作模式,用来研究开关特性和测量不同条件下IGBT和二极管损耗,也可以工作在连续模式,也可配置成降压或升压DC/DC转换器.本文介绍了评估板EVAL......
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2018-06-19
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