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G2 mosfet
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英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet充分利用碳化硅的性能，实现更低的能量损耗，从而在功率转换过程中转化为更高的效率。英飞凌CoolSiC 650V G2 mosfet为各种功率半导体应用提供了优势，如光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源。配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站的功率损耗比前几代产品减少了......
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　　与上一代产品相比，英飞凌的 650V 和 1200V CoolSiC G2 MOSFET 将存储能量和充电量提高了 20%。第二代 CoolSiC 沟槽 MOSFET 继续利用碳化硅的性能属性，有助于减少功率转换过程中的能量损耗并提高效率。　　　　CoolSiC G2 对硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数进行了改进。这些器件的快速......
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2024-03-11
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英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的电力电子应用解决方案。英飞凌G2 mosfet在25°C时的额定电压为1200V，在+100°C时的I(DDC)为6.2A，在18V栅源电压时的R(DS(on))为233.9毫欧。这些mosfet具有优异的电气特性和极低的开关损耗，能够实现高效的工作。mosfet专为过载条......
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