英飞凌CoolSiC 1200V G2 mosfet是一款高性能的电力电子应用解决方案。英飞凌G2 mosfet在25°C时的额定电压为1200V，在+100°C时的I(DDC)为6.2A，在18V栅源电压时的R(DS(on))为233.9毫欧。这些mosfet具有优异的电气特性和极低的开关损耗，能够实现高效的工作。mosfet专为过载条件设计，支持高达+200°C的工作，并可承受长达2µs的短路。值得注意的是，该器件的基准门阈值电压V(GS(th))为4.2V，确保了精确控制。

特性

• T(vj) = +25℃时V(DSS) = 1200V

• 当T(C) = +100℃时，I(DDC) = 6.2A

• R(DS(on)) = 233.9毫欧， V(GS) = 18V, T(vj) = +25℃

• 极低的开关损耗

• 可过载运行至T(vj) = +200℃

• 抗短路时间为2µs

• 基准门阈值电压，V(GS(th)) = 4.2V

• 抗寄生导通能力强，可应用0V关断栅电压

• 坚固体二极管用于硬整流

• .XT互连技术，具有一流的热性能

应用程序

• 电动汽车充电

• 在线UPS/工业UPS

• 太阳能优化器

• 字符串逆变器

• 通用驱动器(GPD)

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