英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率密度、卓越效率、双向充电能力以及显著降低的系统成本使英飞凌科技1200V汽车CoolSiC MOSFET模块成为车载充电器和DC-DC应用的理想选择。TO和SMD组件还配备了开尔文源引脚，以优化开关性能。

特性

• 革命性的碳化硅半导体材料

• 极低的开关损耗

• 增加导通电压V(GS(on)) 20V

• 兼容igbt驱动电压

• 0V关断栅极电压

• 基准栅极阈值电压V(GS(the)) = 4.5V

• 一流的开关能量

• 器件电容低

• 无阈值on-state特性

• 与温度无关的关断开关损耗

• .XT模具贴附技术，具有一流的热性能

• 完全可控的dv/dt

• 用于优化开关性能的检测引脚

• 适用于高压漏电要求

• 细引线，减少焊接桥的风险

• 整流稳健体二极管，准备同步整流

• -55℃~ +175℃工作温度范围

• 无铅，无卤，符合rohs标准

应用程序

• 车载充电器和pfc

• 助推器和DC/DC转换器

• 辅助逆变器