原标题：ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性、及应用

ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET的介绍、特性及应用如下：

介绍

RX3G07CGNC16是ROHM Semiconductor生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N型通道（N-CH）的MOSFET。该型号晶体管采用TO-220AB封装，适用于各种需要高电流、高电压控制的电子电路。

特性

1. 电气参数：

• 漏源电压(Vdss)：40V

• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A

• 驱动电压(最大RdsOn, 最小RdsOn)：未提供具体数值

• 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)：4.7毫欧 @ 70A, 10V

• 不同Id时Vgs(th)(最大值)：2.5V @ 500μA

• Vgs(最大值)：±20V

• 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)：2410pF @ 20V

1. 热参数：

• 功率耗散(最大值)：78W(Tc)

• 工作温度：150°C(TJ)

2. 其他特性：

• 封装类型：TO-220AB，通孔安装

• 技术标准：MOSFET N-CH 40V 70A

• 应用分类：晶体管 - FET, MOSFET - 单个

应用

RX3G07CGNC16功率MOSFET适用于需要高电流、高电压控制的电子电路，如开关电源、电机驱动、电池保护等。其高电流承载能力和低导通电阻使得它在这些应用中能够提供高效的能量转换和电路保护。此外，由于其高工作温度，RX3G07CGNC16也适用于一些高温工作环境下的电路应用。

综上所述，ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET以其优异的电气参数、热参数和其他特性，在各种高功率电子电路中有着广泛的应用。