原标题：碳化硅 MOSFET 吹捧格纹嵌入式肖特基二极管

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）在电力电子领域的应用中，因其出色的物理特性而备受瞩目。格纹嵌入式肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）的引入，为碳化硅MOSFET的性能提升带来了显著的效果。以下是关于碳化硅MOSFET及其格纹嵌入式肖特基二极管的详细分析：

一、碳化硅MOSFET的优势

1. 高温工作特性：碳化硅（SiC）材料因其优越的物理特性，如高热导率和宽带隙，使得SiC MOSFET在高温环境下表现出色。相较于传统的硅（Si）MOSFET，SiC MOSFET能够承受更高的温度，从而提高系统的可靠性。

2. 低导通电阻和开关损耗：SiC MOSFET具有较低的导通电阻和开关损耗，这使得它适用于更高频率的工作条件。在低功耗和高效率方面，SiC MOSFET具有明显的优势。

3. 高电压和高功率密度：SiC MOSFET能够承受更高的电压和功率密度，使其在高压、高功率应用中具有独特的优势。

二、格纹嵌入式肖特基二极管的作用

1. 提高可靠性：东芝公司研发了一种将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD）的SiC MOSFET。这种设计结构在不影响可靠性的情况下，显著降低了导通电阻。

2. 降低导通电阻：根据东芝的实验结果，这种格纹嵌入式SBD的设计可以将导通电阻（RonA）降低约20%。这对于提高SiC MOSFET的性能和效率具有重要意义。

3. 限制寄生二极管双极性导通：通过将SBD按格子花纹分布，降低了SBD嵌入式SiC MOSFET的导通损耗，并实现了良好的二极管导电性。这种设计有效限制了寄生二极管双极性导通，从而提高了SiC MOSFET的稳定性和可靠性。

三、总结

碳化硅MOSFET凭借其出色的物理特性和格纹嵌入式肖特基二极管的创新设计，在电力电子领域展现出显著的优势。其高温工作特性、低导通电阻和开关损耗、高电压和高功率密度等特点，使得SiC MOSFET成为高压、高功率、高效率应用中的理想选择。同时，格纹嵌入式肖特基二极管的设计进一步提高了SiC MOSFET的性能和可靠性，为电力电子系统的发展提供了有力的支持。