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2024-03-25
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2024-01-22
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　　台积电PUUP8xH表面贴装整流器具有低功耗、高效率的特点。这些整流器工作在8A正向电流和100V到200V重复电压。PUUP8xH整流器采用平面技术设计，非常适合自动放置。这些表面安装整流器符合RoHS标准，并符合AEC-Q101标准。其他应用包括高频开关，DC/DC和缓冲器。　　特性　　AEC-Q101合格　　平面技术　　功耗低，......
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2023-03-16
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　　台积电PU6BCH和PU6DCH表面贴装整流器为6A级超高速整流器，具有低功耗和高效率的特点。这些整流器采用平面技术设计，符合RoHS标准。表面安装整流器是AEC合格的，是自动放置的理想选择。其他应用包括高频开关，DC/DC和缓冲器。　　特性　　AEC-Q101合格　　平面技术　　功耗低，效率高　　非常适合自动放置　　湿度敏感等级:1......
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2023-03-16
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　　台积电发誓要在 2022 年下半年启动其 3 纳米工艺节点，但于 12 月 29 日在其位于台湾南部科学园区 (STSP) 的扩建制造工厂为这个尖端制造节点剪彩，勉强实现了这一目标。在三星开始生产基于全能栅极 (GAA) 技术的 3 纳米芯片近六个月后，台积电基于久经考验的 FinFET 晶体管架构，成功实现了从 5 纳米到 3 ......
台积电 3纳米
2023-03-09
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　　台积电TQL82x 200mA低损耗线性稳压器是一种高性能的低损耗线性稳压器，适用于3.3V或5V，输入范围为3V至50V，低静止30μA。TQL82x提供2%的输出电压精度和200mA最大驱动电流，适用于汽车或其他供电系统。每个TQL82x需要一个1μF的小陶瓷电容，以表现出快速调节和良好的稳定性。它还显示非常低的退出电压在100......
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2023-02-23
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　　台积电TQL85x 500mA低损耗线性稳压器是一种高性能的低损耗线性稳压器，适用于3.3V或5V，输入范围为3V至50V，低静止40μA (TQL850)或30μA (TQL851)。TQL82x提供2%的输出电压精度和500mA最大驱动电流，适用于汽车或其他供电系统。TQL82x需要1μF的小陶瓷电容才能表现出快速的调节和良好......
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2023-02-23
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　　　　使用Innovus实施，GUC在台积电N3工艺技术上提供了3.16GHz HPC核心设计，并具有3.5M实例。　　Global Unichip Corp.(GUC)使用Cadence Design Systems Inc.的数字解决方案成功交付了先进的HPC设计和CPU设计。HPC设计是在台积电先进的N3工艺上使用Cadence......
Cade... 台积电 GUC
2023-01-31
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SEMI台湾通过新的评级服务加强整个芯片生态系统的网络安全，这一举措对于提升半导体产业的网络安全防护能力具有重要意义。以下是该评级服务的详细分析：评级服务背景：随着半导体产业在全球范围内的重要性日益凸显，网络安全问题也愈发受到关注。为了加强半导体生态系统对网络攻击的防御能力，SEMI台湾推出了半导体网络安全风险评级服务。评级服务特点：五大......
SEMI 台积电
2022-12-16
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全球十大代工厂总收入在2022年第三季度增长 6%
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全球十大代工厂在2022年第三季度总收入增长6%根据参考文章提供的信息，我们可以了解到，在2022年第三季度，全球排名前十的晶圆代工厂的产值达到了352.1亿美元，环比增长幅度为6%。这一增长主要受到多个因素的影响，包括市场需求、客户订单、产能利用率以及个别厂商的特定贡献。主要厂商表现：台积电（TSMC）：以201.6亿美元的营收领跑，环......
全球十大... 中芯国际 台积电
2022-12-16
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台积电在亚利桑那州扩建以专注于 3nm 节点
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台积电在亚利桑那州的扩建计划确实专注于3nm节点及更先进的制程技术。以下是关于该扩建计划的详细信息和关键点：扩建规模与投资：台积电宣布在亚利桑那州投资超过650亿美元进行扩建，这将包括建设第三座先进制程晶圆厂。这项投资基于美国商务部与台积电之间达成的初步备忘录，其中台积电可能获得美方最高66亿美元的补贴，以及高达50亿美元的政府贷款。制程......
台积电 3nm 3纳米
2022-11-18
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Cadence在台积电N5推出22Gbps GDDR6 IP
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Cadence在台积电（TSMC）N5工艺上推出的22Gbps GDDR6 IP是一项重要的技术突破，以下是关于此技术的一些关键信息和特点：性能提升：Cadence的GDDR6 IP在TSMC N5工艺上实现了22Gbps的数据速率，这一速度超越了该公司上一代的16Gbps设计，提高了37%的性能。高带宽：GDDR6 IP的设计允许每个p......
Cade... 台积电 GDDR...
2022-11-18
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由于前景黯淡，台积电将扩张计划减少至 USD36B
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关于台积电（TSMC）将扩张计划减少至USD36B的情况，可以从以下几个方面进行清晰的分析和归纳：资本支出下调的背景：台积电原本预计的资本支出计划因全球经济状况的持续压力而进行了调整。据参考文章2所述，由于全球经济状况持续带来压力，台积电已将今年的资本支出计划削减至320亿至360亿美元，低于去年的363亿美元。具体数字与变化：原本预估的......
台积电 7纳米 6纳米
2022-10-18
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深入了解台积电的 3 纳米节点和 FinFlex 技术
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台积电的3纳米节点和FinFlex技术是该公司在半导体制造领域的重要创新，以下是关于这两项技术的详细介绍：3纳米节点技术背景：随着半导体技术的不断发展，晶体管尺寸的不断缩小已成为提升芯片性能的关键。台积电的3纳米节点代表了当前半导体制造技术的最前沿。主要特点：相较于之前的5纳米CMOS节点，台积电的3纳米节点在逻辑密度、速度和功率效率上均......
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2022-08-24
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随着前景黯淡，c削减扩张计划
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关于台积电削减扩张计划的情况，尽管当前半导体市场面临一些挑战和前景的不确定性，但根据我所掌握的信息，台积电在近期并未公开宣布削减其扩张计划。相反，从参考文章中可以提炼出以下关于台积电扩张计划的信息：新建工厂与产能提升：台积电在2024年计划新建七座工厂，包括5座晶圆厂和2座先进封装厂。该公司预计2024年的3nm产能将达到去年的四倍，即同......
台积电 TSMC
2022-07-19
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台积电预计将于 2022 年末量产 3nm 芯片，早于第一批苹果 M3 / A17 芯片
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台积电预计将于2022年末量产3nm芯片，这一消息在多个来源中得到了确认。以下是对该问题的详细解答：一、台积电3nm芯片量产计划1. 量产时间台积电原计划在2022年下半年大批量生产3nm芯片，并在2022年最后一周开始量产。这一时间点早于首批采用台积电3nm工艺制造的苹果M3和A17芯片的预期发布时间。2. 技术优势台积电3nm节点相较......
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2021-12-27
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ASML（阿斯麦）下一代高精准度EUV（极紫外）光刻机的售价确实预计将达到一个相当高的水平，但具体售价可能会受到多种因素的影响，包括生产成本、市场需求、技术先进性以及市场竞争态势等。根据公开发布的信息，ASML的下一代高精准度EUV光刻机，如EXE: 5000型号，其数值孔径为0.55，可用于2nm节点以下芯片制造，如1.4nm、1nm等......
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2021-12-24
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台积电罗镇球：明年将推出 5nm 汽车电子平台和 2nm 新晶体管架构
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台积电罗镇球在相关场合表示，台积电计划在未来推出两项重要技术：5nm汽车电子平台和2nm新晶体管架构。以下是对这两项技术的详细解读：一、5nm汽车电子平台1. 推出时间根据罗镇球的表述，台积电计划于“明年3月”推出5nm汽车电子工艺平台。然而，这里的“明年”指的是消息发布时的下一年，即基于参考文章的发布时间（2021年），原计划是在202......
晶体管 半导体 台积电
2021-12-23
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5nm 系列终极性能！台积电发布 N4X 制程工艺技术：2023 年上半年风险生产
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5nm 系列终极性能！台积电发布 N4X 制程工艺技术：2023 年上半年风险生产台积电发布的N4X制程工艺技术，作为5nm系列的终极性能代表，是专为高性能计算（HPC）产品的苛刻工作负载量身定制的。以下是关于N4X制程工艺技术的详细介绍：一、技术背景与特点发布时间：台积电在2021年12月16日正式宣布推出N4X制程工艺技术。技术定位：......
金属电容... N4X制... 生态系统
2021-12-17
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联发科天玑 9000 5G 旗舰芯片发布：台积电 4nm 制程、Armv9 架构，手机将于明年一季度上市
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联发科天玑9000 5G旗舰芯片于2021年12月16日正式发布，这款芯片在多个方面均展现了其旗舰级别的性能与特点。以下是对天玑9000 5G旗舰芯片的详细解析：一、制程与架构制程：天玑9000率先采用台积电4nm先进制程，这一制程的采用使得芯片在功耗控制和性能表现上达到了新的高度。架构：CPU部分，天玑9000采用了面向未来十年的新一代......
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2021-12-17
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