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GaN FET
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　　作者：Kenton Williston　　激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W......
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2024-02-18
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　　　　EPC GaN FET 的低功耗为 BRC Solar 的下一代功率优化器提供了更高的电流密度。　　BRC Solar GmbH 凭借其功率优化器彻底改变了光伏 (PV) 市场，提高了光伏电站和系统的能源产量和性能。将 Efficient Power Conversion 的 EPC2218 100V FET 设计到其下一代 M......
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2022-08-29
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　　TP65H050G4BS 是一款采用 TO-263 (D2PAK) 封装的 650V、50mΩ 器件，将 Transphorm 的 SuperGaN FET 产品组合扩展到更高功率的系统。工程师可以在需要更高功率和表面贴装封装的地方使用 TP65H050G4BS，从而实现比 PQFN 类型封装更好的热性能。它还通过使用单一制造流程......
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2022-07-26
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基于eGaN FET的50 W、12 V/60 V升压转换器
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　　50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升压转换器采用简单、低成本的拓扑结构，可实现 95.3%的峰值效率和低温升。　　宜普电源转换公司（EPC）宣布推出双向降压或反向升压转换器演示板（EPC9162）。该演示板用于同步转换器时采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自举FET电路时，采用EPC2038器件。......
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2021-10-22
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transhorm 650V GaN fet在TO-247封装结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术。与硅相比，该器件提供了更高的可靠性和性能，并提高了效率。所述fet具有较低的栅电荷、较低的交叉损耗和较小的反向恢复电荷。特性JEDEC合格的氮化镓技术动态生产测试稳健的设计，由内在生命周期测试宽闸门安全裕度瞬态过电压的......
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2021-06-21
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　　通讯的建设为交换式电源(SMPS)业者带来了巨大商机，但这一巨大商机同时也为通讯电源设计者带来了新的挑战。对于通讯资料中心及大型基地台，多数采用扩充现有设备容量的方式来建设新的通讯设备，其中留给新的通讯所需电能的电源柜空间往往极其有限，甚至只能采用原有电源柜。在这些情况下电源柜的输出功率需要大幅增加。这就要求通讯电源模组(通常称其为整......
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2021-04-22
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闻泰科技：安世半导体GaN FETs产品即将迎来大规模出货
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　　近日，在SEMICON China大展的功率与化合物半导体国际论坛上，闻泰科技副总裁吴友文演讲中表示，“第三代化合物功率半导体将全方位助力电动车零排放革命”。电动汽车的未来是“行驶里程延长、充电时间缩短，电池容量更大”，第三代化合物功率半导体将是实现该项目标的关键性因素。　　在十四五规划纲要中，“集成电路”领域特别提出了碳化硅、氮化......
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2021-03-25
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2021-01-13
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增强型器件优于双芯片式常关型GaN FET吗？
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加贺富仪艾电子旗下代理品牌Transphorm是一家致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件的公司。宽泛的产品使用范围，使得Transphorm积累了不少使用者的提问及反馈，这里我们就分享一个“关于增强型器件和双芯片式常关型GaN FET”的问题，供大家在产品使用中参考~ 问 增......
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2021-01-12
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2020-12-23
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具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
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　　氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。　　使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换......
驱动器
2020-12-17
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TI 推首款汽车和工业级GaN FET 功率密度再翻倍
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　　随着半导体技术的提升，人们逐渐将目标转向了寻找Si以外新一代的半导体材料。在这个过程中，GaN近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。　　GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料的代表，由于禁带宽度大、导热率高等特性，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件，因此其应用越来越广泛。......
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2020-12-02
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EPC推出170 V eGaN FET，实现优越同步整流，极具成本效益
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　　宜普电源转换公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET），与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。　　宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且......
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2020-11-16
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Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)
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2019 年 11月19 日：分立、逻辑和MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大......
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2020-02-13
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　　专注于引入新品并提供电子元器件分销商贸泽电子即日起开始备货Instruments (TI) 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列，与传统硅替代方案相比，拥有更高的效率与功率密度，以及更小的整体系统尺寸，并专门针对速度关键型/功率转换应用进行了优化。　　LM......
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　　TI公司的LMG102是单个低边GaN和Si MOSFET驱动器,高达60MHz工作频率,输入脉冲宽度1ns,传输时延典型值2.5ns,上升和下降时间为400ps,7A峰值源电流和5A峰值沉电流,5V工作电压,主要用在激光雷达(LiDAR),TOF激光驱动器,面部识别,E类无线充电器,VHF谐振电源转换器,GaN同步整流器和增强现实......
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车规级80 V EPC2214 eGaN FET 使得激光雷达系统看得更清晰
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　　宜普电源转换公司(EPC)宣布再多一个车用氮化镓(eGaN)器件(80 V的EPC2214)成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。　　基于氮化镓(eGaN)技术的产品已进行量产超过9年，累计了数十亿小时的实际汽车应用经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、应用于数据中心计算机的48 V–1......
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2019-10-28
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基于TI公司LMG5200三相GaN逆变器参考设计TIDA-00909
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　　LMG5200器件(一种80V驱动器，采用GaN半桥功率级)使用增强型氮化镓(GaN)FET提供集成功率级解决方案。该器件由在半桥配置中的一个高频GaN FET驱动器驱动的80V GaN FET组成。　　不考虑VCC电压，TTL逻辑兼容输入可承受高达14V的输入电压。专有的自举电压钳位技术可以确保增强型GaN FET的栅极电压位于安......
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2018-10-29
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TI LMG1210 200VGaN FET电源参考设计TIDA-01634
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　　TI公司的LMG1210是200V半桥高性能氮化镓场效应晶体管(GaN FET)驱动器,超高速度可到50MHz,传输时延10ns,脉冲宽度≥ 3 ns,高边和低边匹配1.5ns,峰值源电流1.5A,主要用在高速DC/DC转换器,RF包络跟踪,D类音频放大器和E类无线充电.本文介绍了LMG1210主要特性,框图和应用框图,以及高速DC......
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