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transhorm 650V GaN fet TO-247封装的介绍、特性、及应用

来源: hqbuy
2021-06-21
类别:基础知识
eye 34
文章创建人 拍明

原标题:transhorm 650V GaN fet TO-247封装的介绍、特性、及应用

您想了解的可能是Transphorm公司的650V GaN FET TO-247封装产品,以下是对其介绍、特性及应用的详细阐述:

一、介绍

Transphorm是全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商,其推出的650V GaN FET TO-247封装产品,如TP65H035G4YS和TP65H050G4YS,是针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换等领域而设计的。这些产品采用了Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程,不仅可靠性高,而且具有良好的成本效益,非常适合现有硅基生产线量产。

二、特性

  1. 低导通电阻

    • TP65H035G4YS和TP65H050G4YS分别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻,有助于降低能量损耗。

  2. 四引脚封装

    • 采用TO-247-4L封装,相比传统的三引脚封装,增加了一个引脚用于栅极驱动的信号源端子,实现了Kelvin连接,提高了MOSFET的开关速度。

  3. 高性能

    • 在硬开关同步升压型转换器中,与导通电阻相当的SiC MOSFET相比,35毫欧的SuperGaN 4引脚FET器件在50千赫兹(kHz)下损耗减少了15%,而在100kHz下的损耗则降低了27%。

  4. 稳健性

    • 具有业界领先的稳健性,如+/-20V栅极阈值和4V抗扰性,确保在各种应用环境下的可靠性。

  5. 易设计性和易驱动性

    • SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驱动器,减少了器件周边所需电路,降低了设计复杂度。

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三、应用

  1. 数据中心

    • 在一千瓦及以上功率级的数据中心电源中,Transphorm的650V GaN FET TO-247封装产品可作为原始设计选项,也可直接替代现有方案中的4引脚硅基和SiC器件,实现更低的电源系统损耗。

  2. 可再生能源

    • 适用于可再生能源的各种工业应用电源,如太阳能逆变器、风力发电系统等,提高能源转换效率。

  3. 工业电力转换

    • 在工业电力转换领域,如电机驱动、电力电子变换器等,650V GaN FET TO-247封装产品能够提供高性能、低损耗的解决方案。

  4. 其他应用

    • 还可用于通信电源、电动汽车充电站等领域,满足高功率、高效率的电源需求。

综上所述,Transphorm的650V GaN FET TO-247封装产品以其低导通电阻、四引脚封装、高性能、稳健性以及易设计性和易驱动性等特性,在数据中心、可再生能源、工业电力转换等领域具有广泛的应用前景。


责任编辑:David

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