原标题：650V GaN FET 采用表面贴装封装

TP65H050G4BS 650V GaN FET是一款高性能的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），它采用了表面贴装封装技术。以下是关于TP65H050G4BS 650V GaN FET的详细信息和特点：

1. 封装类型：

• TP65H050G4BS采用了TO-263（D2PAK）封装，这是一种行业标准封装，特别适用于需要更高功率和表面贴装封装的应用。

2. 电压与导通阻抗：

• 这款FET的额定电压为650V，典型导通阻抗为50mOhm。这意味着它在承受高电压的同时，具有较低的导通电阻，从而提高了能效和功率密度。

3. 认证与可靠性：

• TP65H050G4BS通过了JEDEC认证，证明了其高可靠性和稳定性。此外，它还具备Transphorm一流的可靠性、栅极稳健性（±20 Vmax）和抗硅噪声阈值（4V）。

4. 应用领域：

• 由于其高功率和优良的性能，TP65H050G4BS特别适用于数据中心和广泛的工业应用。它赋能设计者和制造商开发通常用于数千瓦到几千瓦系统的高功率系统。

1. 技术特性：

• 作为Transphorm的第七款SMD（表面贴装器件），TP65H050G4BS继承了氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。它还具有出色的热性能，可以帮助用户通过单一的制造流程提高PCB组装效率。

2. 配套产品与评估板：

• TP65H050G4BS可以作为分立器件提供，也可以配套垂直子卡，以提高Transphorm的2.5kW AC-DC无桥图腾柱功率因素校正（PFC）评估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。此外，它还可以切换至1.2kW同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板，以驱动多千瓦功率。

3. 市场定位与优势：

• Transphorm作为高可靠性、高性能氮化镓电源转换产品的全球供应商，通过推出TP65H050G4BS，进一步扩大了其表面贴装封装产品系列，将SMD产品的可用性拓展至高功率领域。

综上所述，TP65H050G4BS 650V GaN FET凭借其TO-263（D2PAK）封装、650V额定电压、50mOhm典型导通阻抗以及多项技术特性和优势，成为了数据中心和广泛工业应用中不可或缺的高性能组件。

参考：