EPC推出170 V eGaN FET,实现优越同步整流,极具成本效益


原标题:EPC推出170 V eGaN FET,实现优越同步整流,极具成本效益
EPC(宜普电源转换公司)推出的170 V eGaN FET(氮化镓场效应晶体管)在同步整流应用中实现了显著的性能提升,并具有极高的成本效益。
产品概述
型号与规格:EPC2059,170 V,6.8 mΩ。
产品定位:适用于高性能48 V同步整流,满足48 V ~ 56 V服务器、数据中心产品及高端计算领域的消费类电源应用需求。
技术优势
小型化与高效性
与传统硅MOSFET相比,EPC2059在相同导通电阻下,功耗仅为硅器件的1/6,工作温度低10℃。
支持1 MHz开关频率,适用于AC/DC适配器、快速充电器及100 W ~ 6 kW功率范围的电源供电应用。
成本效益
批量单价为1.59美元(2500片),显著降低系统成本。
配套开发板EPC9098(单价123.75美元)可快速评估性能,加速产品上市。
性能突破
实现80 Plus钛电源供电效率,系统尺寸更小、速度更快、温度更低、重量更轻。
在1 MHz频率下,400 V/48 V转换器的功耗仅为硅MOSFET解决方案的1/6,工作温度降低10℃。
应用场景
服务器与数据中心:满足48 V ~ 56 V电源需求,提升能效标准。
消费类电源:适用于游戏PC、LCD/LED电视、LED照明等。
高端计算:支持人工智能、云计算和高端游戏系统的电源管理。
市场影响
抢占高端市场:EPC2059凭借其性能与成本优势,瞄准高端服务器和消费类电源市场,推动氮化镓技术在电源领域的普及。
技术领导力:作为增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管的全球领先供应商,EPC持续推动产品性能提升与成本降低。
行业评价
EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示:“在AC/DC适配器的次级侧同步整流中使用氮化镓器件,可实现非常明显的性能优势,帮助设计人员满足高端计算领域的严格能效标准。”
总结
EPC的170 V eGaN FET通过技术创新,为电源设计提供了更高效、更小型化、更具成本效益的解决方案,尤其在高端计算和消费类电源领域展现出巨大潜力。
责任编辑:David
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