Transphorm TP65H050G4YS 650V SuperGaN FET是一种50毫欧氮化镓(GaN)正常关闭器件，采用4引脚TO-247封装。这款第四代SuperGaN FET采用了Transphorms第四代平台，该平台支持先进的epi和专利设计技术，可简化制造过程。TP65H050G4YS 650V FET结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET，具有卓越的可靠性和性能。这种SuperGaN FET通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，提高了硅的效率。典型的应用包括数据通信、广泛的工业、光伏逆变器和伺服电机。

特性

• 通过jedec认证的GaN技术

• 动态R(DS(on)eff)生产测试

• 稳健设计，定义如下:

• 宽栅极安全裕度

• 瞬态过电压能力

• 增强的涌流能力

• 非常低的Q(RR)

• 降低交叉损耗

• 支持AC-DC无桥图腾柱PFC设计:

• 提高功率密度

• 减小系统尺寸和重量

• 整体较低的系统成本

• 提高了硬开关和软开关电路的效率

• 易于驱动与常用的栅极驱动器

• GSD引脚布局改善了高速设计

规范

• 650V漏源电压V(DSS)

• 800V瞬态漏源电压V(DSS(TR))

• ±20V栅源电压V(GSS)

• 132W最大功率耗散(PD) @T(C)=25℃

• 连续漏极电流I(D):

• 35一个@T (C) = 25°C

• 22 @T (C) = 100°C

• 150A脉冲漏极电流I(DM)(脉冲宽度:10µs)

• 3.3V ~ 4.8V门限电压V(GS)范围(V(DS)=V(GS)， I(D)=0.7mA)

• 漏源极导通电阻:

• 50毫欧 ~ 60毫欧 (V(GS)=10V, I(D)=22A)

• 105毫欧 (V(GS)=10V, I(D)=22A, T(J)=150℃)

• 典型电容(V(GS)=0V, V(DS)=400V, f=1MHz):

• 1000 pf输入

• 110 pf输出

• 2.7pF反向传递

• 充电(V(DS)=400V, V(GS)=0V ~ 10V, I(D)=6.5A):

• 16nC至24nC总栅极电荷

• 6nC栅源电荷

• 5nC栅漏电荷

• 112nC输出电荷(V(GS)=0V, V(DS)=0V ~ 400V)

• 50kHz至100kHz工作频率范围

应用程序

• 数据通信

• 广泛的工业

• 光伏逆变器

• 伺服电机