Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN FET在TOLT中具有导通电阻R(DS(on)) 72毫欧，典型的顶部冷却，表面贴装TOLT封装符合JEDEC标准MO-332。TOLT封装提供了热管理的灵活性，特别是在系统中，不允许传统的表面贴装设备与底部冷却。TP65H070G4RS是一种正常关闭器件，结合了低压硅MOSFET和高压GaN HEMT技术，提供卓越的可靠性和性能。Gen IV SuperGaN平台利用先进的epi和专利设计技术，通过降低栅极电荷、交叉损耗、输出电容和反向恢复电荷，简化了制造过程，提高了硅的效率。Transphorm TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET是数据通信，工业，计算和其他应用的理想选择。

特性

• 第四代科技

• 通过jedec认证的GaN技术

• 动态R(DS(on)eff)生产测试

• 船壳冷却

• 稳健设计，定义为
  

• 宽栅极安全裕度

• 瞬态过电压能力

• 超低反向回收费用(Q(RR))

• 降低交叉损耗

• 提高了硬开关和软开关电路的效率
  

• 提高功率密度

• 减小系统尺寸和重量

• 整体较低的系统成本

• 易于驱动与常用的栅极驱动器

• GSD引脚布局改善了高速设计

• 符合rohs标准和无卤素包装

应用程序

• 数据通信

• 广泛的工业

• 光伏逆变器

• 伺服电机

• 计算

规范

• 10mm × 15mm尺寸

• 72毫欧典型的R(DS(on))

• 85毫欧最大R(DS(on))

• 4V典型阈值电压(V(th))

• 29A最大连续漏极电流(I(D))

• 0数控Q (RR)

• -55°C至150°C外壳和结的工作温度范围

简化半桥原理图