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关于QPD0010氮化镓（GaN）射频晶体管性能评估板的介绍、特性及应用，我注意到在提供的参考信息中并未直接提及QPD0010这一具体型号。然而，可以基于类似的QPD系列氮化镓射频晶体管（如QPD1010）的性能参数和特性，对QPD0010进行一般性的推测和介绍。介绍QPD0010（假设存在此型号，因实际信息未给出）可能是一款基于氮化镓（......
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Integra Technologies推出的首款100V射频氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）技术及其相关产品，标志着射频功率技术的一个重要里程碑。以下是对该技术及产品的详细介绍：一、技术背景与优势技术首创：Integra Technologies首创了100V射频氮化镓（GaN）/碳化硅（SiC）技术，这一技术在业界具有领先地位。广泛......
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贸泽电子（Mouser Electronics）与ROHM Semiconductor携手推出了一本全新电子书，名为《Driving the Future of Automotive Solutions with ROHM》（与ROHM一同推进未来汽车解决方案），该书重点介绍了下一代电动汽车（xEV）的电源解决方案。以下是对该电子书内容的......
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关于中芯国际一季度营收及其14/28nm工艺营收占比的情况，以下是根据最新信息给出的详细回答：一、中芯国际一季度营收中芯国际2024年一季度营收情况如下：营收总额：中芯国际2024年一季度营收为17.5亿美元（按照某些报道，该营收也可转换为125.94亿人民币，这取决于汇率和会计处理方式），同比增长19.7%，环比增长4.3%。这一营收成......
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氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体，确实曾宣布通过与Live Oak II特殊目的收购公司合并的方式上市，以下是对此事件的详细梳理：一、合并上市概况合并双方：纳微半导体与Live Oak Acquisition Corp. II（简称“Live Oak II”）。其中，纳微半导体是全球领先的氮化镓功率芯片公司，而Live Oak II是......
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固体激光器的调试方法主要包括以下几个方面：一、光路调试泵浦光调试：确保泵浦光能够准确地照射到增益介质（如激光棒）上。调整泵浦光的光斑大小和位置，使其满足设计要求，通常要求光斑均匀且覆盖增益介质的有效区域。谐振腔调试：调整谐振腔的反射镜（全反射镜和输出镜）位置，确保激光能够在谐振腔内形成稳定的振荡。使用光阑和光栅等工具，检查并调整光路，使激......
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2021-05-13
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EPC公司（宜普电源转换公司）推出的基于氮化镓集成功率级的400W电机驱动器演示板（EPC9146）是一款高性能的电机驱动解决方案。以下是对该演示板的详细介绍：一、主要特点高功率密度：演示板集成了氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和栅极驱动器，形成了单片式的EPC2152 ePower™功率级，最大电压为80V，最大输出电流为15A（......
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2021-05-10
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研究机构：氮化镓功率芯片市场年增长率 70%，2026 年将达到 11 亿美元
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关于氮化镓（GaN）功率芯片市场的情况，确实有多家研究机构进行了预测和分析。其中，Yole Development这一研究机构所给出的报告具有相当的权威性，其预测内容具体如下：一、市场规模与增长率2020年，全球功率氮化镓芯片市场规模为4600万美元。预计从2020年到2026年，全球功率氮化镓芯片市场将持续增长，年增长率高达70%。到2......
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2021-05-10
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Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
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Nexperia（安世半导体）推出的第二代650V氮化镓（GaN）场效应管（FET）在电源领域取得了显著的突破，使得80 PLUS钛金级电源能够在2kW或更高功率下运行。以下是对这一产品的详细介绍：一、产品概述Nexperia第二代650V GaN FET器件系列，以其卓越的性能和批量供货的能力，为高性能电源设计提供了新的选择。这些器件特......
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科锐（Cree）作为碳化硅（SiC）技术和生产的全球领先企业，确实推出了多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件，这些器件在大型雷达的发展中起到了重要的推动作用。以下是对科锐推出的碳化硅基氮化镓器件及其助力大型雷达加速发展的详细分析：一、科锐推出的碳化硅基氮化镓器件科锐推出的多款碳化硅基氮化镓器件包括Wolfspeed CMPA90......
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Nexperia（安世半导体）与联合汽车电子有限公司（UAES）在氮化镓（GaN）领域确实达成了深度合作。以下是对这一合作的详细阐述：一、合作背景随着汽车电气化、5G通信以及工业4.0市场的不断增长，基于GaN的主流设计正逐渐成为市场的主流趋势，这推动了功率半导体需求的增长。在这样的背景下，Nexperia与联合汽车电子有限公司决定在Ga......
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氮化镓（GaN）功率晶体管的价格降至1美元以下，这一趋势反映了氮化镓技术的快速发展和生产成本的不断降低。以下是对氮化镓功率晶体管价格下降至1美元以下这一现象的分析：一、价格现状目前，市场上已有多种氮化镓功率晶体管的价格降至1美元以下。这些产品来自不同的厂商，具有不同的规格和性能。例如，在某些电商平台上，可以找到价格低于1美元的氮化镓功率晶......
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氮化镓晶体管的并联配置应用
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氮化镓（GaN）晶体管的并联配置应用在大功率变换器设计中具有重要意义。以下是对氮化镓晶体管并联配置应用的详细分析：一、氮化镓晶体管并联配置的背景与意义在功率变换器应用中，宽带隙（WBG）技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。氮化镓晶体管作为宽带隙半导体技术的代表，具有优异的电学性能和热稳定性，适用于高功率、高频率的应用场景。然而，与硅器件相......
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关于苹果可能推出氮化镓快充并取代USB充电头的传闻，以下是对此问题的详细分析：一、苹果推出氮化镓快充的可能性技术趋势：氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射等特性，在快充领域具有显著优势。随着技术突破和成本降低，氮化镓快充逐渐普及，苹果作为行业领导者，有可能跟进这一技术趋势。市场需求：随着消费者对......
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近年来，氮化镓（Gallium Nitride, GaN）快充技术取得了显著进展，标志着我国在第三代半导体领域迈出了重要一步。氮化镓作为一种新兴的半导体材料，以其高速度、高功率、高效率的优势，在快充领域展现出巨大的应用潜力。一、氮化镓快充技术的优势氮化镓材料具有以下显著特点：运行速度快：比传统硅材料快二十倍。功率密度高：能够实现高出三倍的......
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