原标题：氮化镓快充研发重大突破！三大核心芯片实现全国产

近年来，氮化镓（Gallium Nitride, GaN）快充技术取得了显著进展，标志着我国在第三代半导体领域迈出了重要一步。氮化镓作为一种新兴的半导体材料，以其高速度、高功率、高效率的优势，在快充领域展现出巨大的应用潜力。

一、氮化镓快充技术的优势

氮化镓材料具有以下显著特点：

• 运行速度快：比传统硅材料快二十倍。

• 功率密度高：能够实现高出三倍的功率输出。

• 体积小、效率高：在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍，适用于高频高效的开关电源应用。

这些优势使得氮化镓快充产品具有更高的转换效率、更小的体积和更轻的重量，成为消费类快充电源市场的首选材料。

二、氮化镓快充三大核心芯片

在氮化镓快充产品的设计中，主要需要用到三颗核心芯片：

1. 氮化镓控制器

• 负责控制氮化镓功率器件的开关，实现高效的电能转换。

• 由于氮化镓功率器件的驱动电压范围窄，对负压敏感，因此氮化镓控制器的设计难度较大。

2. 氮化镓功率器件

• 是实现电能转换的核心部件，具有高频率、低损耗的特点。

• 氮化镓功率器件的性能直接影响快充产品的效率和体积。

3. 快充协议控制器

• 负责与充电设备之间的通信，支持多种快充协议。

• 实现智能识别和管理充电过程，保障充电的安全性和兼容性。

三、全国产化突破

此前，氮化镓快充产品的核心芯片中，氮化镓控制器主要依赖进口，限制了国内快充产品的发展。然而，近年来，国内半导体厂商在氮化镓快充领域取得了重大突破，三大核心芯片均已实现全国产化。

以东莞市瑞亨电子科技有限公司为例，该公司成功量产了一款65W氮化镓快充充电器，这是业界首款基于国产氮化镓控制芯片、国产氮化镓功率器件以及国产快充协议芯片开发并正式量产的产品。这三颗核心芯片分别来自南芯半导体、英诺赛科和智融科技。

• 南芯半导体：提供主控芯片SC3021A，采用专有的GaN直驱设计，省去外置驱动器，集成度高，性能优越。

• 英诺赛科：提供氮化镓功率器件INN650D02，耐压650V，导阻低至0.2Ω，采用先进的8英寸生产加工工艺，性能领先。

• 智融科技：提供二次降压+协议识别芯片SW3516H，支持多种快充协议，集成度高，外围器件少。

四、全国产化的意义

氮化镓快充三大核心芯片实现全国产化，具有重要意义：

1. 提升产业链自主可控能力：避免关键技术被国外厂商“卡脖子”，保障国家信息安全和产业安全。

2. 降低成本，推动普及：国产半导体厂商可以充分发挥本土企业的优势，降低生产成本，推动氮化镓快充产品的普及。

3. 促进技术创新和产业升级：全国产化的实现将激发国内半导体厂商的创新活力，推动氮化镓快充技术的持续进步和产业升级。

五、市场前景

随着氮化镓快充技术的不断成熟和成本的逐步降低，氮化镓快充产品将在消费类电子、新能源汽车、数据中心等领域得到广泛应用。据预测，到2027年，功率GaN器件市场规模有望达到20亿美元，氮化镓快充市场将迎来更加广阔的发展前景。

六、总结

氮化镓快充研发取得重大突破，三大核心芯片实现全国产化，标志着我国在第三代半导体领域迈出了重要一步。这将有助于提升我国半导体产业的自主创新能力，推动氮化镓快充产品的普及，为我国电子产业的发展注入新的动力。