原标题：英飞凌：碳化硅、氮化镓功率元件 5 年内成本将逐步降低

英飞凌作为半导体行业的领先企业，在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新材料功率元件领域的发展上持有积极态度，并预测这些元件的成本将在未来五年内逐步降低。这一预测主要基于以下几个方面的考量：

一、生产规模的扩大与产能投资的增加

• 随着碳化硅和氮化镓功率元件市场需求的不断增长，英飞凌等半导体厂商将加大在这些领域的投资，以扩大生产规模。

• 生产规模的扩大有助于分摊固定成本，从而降低单位产品的制造成本。

• 英飞凌预测，其SiC和GaN功率元件的生产将从主流的6英寸晶圆厂转移到8英寸晶圆厂。这是国际大厂共同看好的趋势，因为8英寸晶圆厂的生产效率更高，有助于进一步降低成本。

二、良率控制的提升

• 在半导体制造过程中，良率是影响成本的关键因素之一。

• 通过技术改进和工艺优化，英飞凌等厂商将努力提高碳化硅和氮化镓功率元件的良率，从而降低废品率，减少损失，并最终降低成本。

三、制造技术的演进

• 制造工艺的不断提升将使得碳化硅和氮化镓功率元件的制造更加高效、精准，从而有助于降低成本。

• 英飞凌等厂商正在推进后段制程技术的持续发展，以优化产品性能并降低成本。

四、具体时间框架与成本降幅

• 英飞凌预测，在未来3至5年内，通过在生产规模、产能投资、良率控制等方面的共同推进，SiC和GaN功率元件的成本有望降低到与硅基元件相仿的程度。

• 需要注意的是，这一预测具有一定的不确定性，实际成本降低的速度和幅度可能受到多种因素的影响，包括市场需求、原材料供应、技术进步速度等。

五、市场前景与应用领域

• 碳化硅和氮化镓功率元件在电动汽车、电力电子系统、消费电子等多个领域具有广泛的应用前景。

• 这些新材料能够显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，并提高功率密度和能效。

• 随着成本的不断降低，碳化硅和氮化镓功率元件的市场需求将进一步增长。

综上所述，英飞凌对于碳化硅和氮化镓功率元件的成本降低持乐观态度，并预测在未来五年内将逐步实现这一目标。然而，实际成本降低的速度和幅度仍需根据市场和技术的发展情况进行观察和分析。