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2020-10
全新推出采用 5GigE 技术用于高速、在线高度测量和检测的 Z-Trak2 系列
一、技术核心：5GigE技术赋能高速在线检测5GigE技术定义与优势PoE++（IEEE 802.3bt）供电：单根网线同时传输数据与100W电力，简化设备布线（传统方案需独立电源线+数据线）。时间敏感网络（TSN）协议：确保多传感器（如激光雷达+相机）数据同步误差<1μs，满足工业自动化对时间精度的严苛要求。5GigE（5 Gig......
2020-10
东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器
一、芯片核心架构与PWM控制技术双H桥拓扑设计独立驱动两路电机：单芯片集成两组H桥电路（共8个MOSFET），支持双电机独立控制（如吸尘器双滚刷、扫地机双驱动轮），或单电机四象限运行（正转/反转/制动/滑行）。内建死区时间生成器：自动生成50ns-500ns可调死区时间，避免上下桥臂直通短路（传统方案需外接RC电路，误差±10%）。PWM......
2020-10
意法半导体STM32WB双核无线MCU系列推出新产品线
一、产品线核心升级：双核异构+多协议融合双核异构架构突破64MHz主频：专用于无线协议栈处理（如BLE 5.3、Zigbee 3.0、Thread 1.3），释放主核资源（功耗降低40%）。实时响应能力：无线中断延迟<5μs，满足工业物联网（IIoT）对时序敏感场景（如电机同步控制）。177MHz主频：支持浮点运算（FPU）与DSP......
2020-10
超大尺寸领域: X3000系列，具有超大图像尺寸曝光精度，灵活多样化，适用于所有终端大尺寸PCB产品曝光
一、技术核心：超大尺寸曝光精度与工艺适配性超大图像尺寸曝光能力双远心镜头组：数值孔径（NA）达0.25，景深提升至150μm（传统设备<80μm），解决厚铜板（>4oz）边缘虚焦问题。紫外LED阵列光源：峰值波长365nm，能量密度25mW/cm²（均匀性±1.5%），较汞灯光源节能40%，寿命延长10倍（>20,000......
2020-10
新 5G 虚拟路测工具套件使用基于真实数据的测试例自动验证设备性能
一、核心价值：真实数据驱动的自动化验证闭环技术突破点测试用例自动生成：基于机器学习模型分析历史测试数据，自动生成覆盖吞吐量、时延、切换成功率等关键指标的测试序列（如生成100个并发用户下的VoNR语音质量测试用例仅需5分钟）。闭环反馈机制：通过数字孪生网络实时模拟设备响应，若性能不达标（如切换失败率>1%），系统自动触发参数调优建议......
2020-10
最新的氮化镓器件可提供高达100W的功率，并支持从USB PD适配器到家电辅助电源的应用
1. 氮化镓（GaN）器件的高功率特性功率提升原理：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，相较于传统硅基器件（如MOSFET、IGBT），具有更高的电子迁移率、更低的导通电阻和更快的开关速度。这些特性使得GaN器件在相同尺寸下可承受更高的电压和电流，从而实现更高的功率密度。100W功率的实现：现代GaN功率器件（如GaN HEMT）通过优化结构设......
2020-10
ROHM开发出双通道高速CMOS运算放大器“BD77502FVM”
作为ROHM在模拟芯片领域的战略级产品，BD77502FVM以“高速响应、超低噪声、极致能效”三大特性重新定义CMOS运放性能边界，精准覆盖工业自动化、车载电子、医疗设备、通信系统四大高要求场景。以下从技术突破、场景适配、竞品优势、选型建议四大维度展开分析，揭示其如何成为下一代精密信号处理的核心支撑。一、技术突破：打破CMOS运放性能天花......
2020-10
安谋中国“周易”Z2 AIPU正式发布，性能翻倍、效率翻番
安谋中国（Arm China）最新发布的“周易”Z2人工智能处理单元（AIPU），以性能翻倍、效率翻番为核心突破，直击智能终端、边缘计算、物联网（IoT）等场景对AI算力低功耗、高实时性的严苛需求。以下从技术架构、性能升级、场景适配、行业影响四大维度展开深度解析，揭示其如何重新定义边缘端AI芯片设计范式。一、技术架构：从“周易”Tengi......
2020-10
意法半导体推出Bluetooth5.2认证系统芯片可延长通信距离，提高吞吐量、可靠性和安全性
意法半导体（ST）最新推出的Bluetooth 5.2认证系统芯片（SoC），通过LE Coded PHY、2M PHY、AOA/AOD定位增强、LE Security等核心功能升级，直击物联网（IoT）、工业自动化、医疗设备、智能家居等场景对无线通信“远距离、高带宽、抗干扰、强安全”的痛点需求。以下从技术架构、性能升级、场景适配、竞品对......
2020-10
全新Cadence Clarity 3D瞬态求解器将系统级EMI仿真速度最高提升10倍
Cadence推出的Clarity 3D瞬态求解器通过自适应混合算法、GPU并行加速、动态网格优化三大核心技术，将系统级电磁干扰（EMI）仿真速度较传统方法提升5-10倍（复杂场景可达10倍），直击5G通信、汽车电子、高速服务器等领域对“高频信号完整性、多物理场耦合、大规模电路仿真”的痛点需求。以下从技术原理、性能突破、场景适配、竞品对比......
2020-10
Maxim Integrated发布支持车载USB PD端口的buck/boost控制器，拥有业界最小方案尺寸和最低成本
Microchip推出的AgileSwitch®相臂功率模块（Phase-Leg Power Modules），通过集成化封装、智能驱动与动态控制技术，在SiC/GaN功率器件、工业电机驱动、可再生能源逆变器等领域实现功率密度提升3倍、开关损耗降低50%、系统可靠性增强2个数量级。以下从技术架构、性能突破、应用场景、竞品对比、行业价值五大......
2020-10
贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块
一、核心亮点：从分立器件到智能功率模块的革命性突破AgileSwitch相臂功率模块（Phase-Leg Power Modules）由Microchip推出，集成功率器件（如SiC MOSFET/IGBT）与智能门极驱动器（IGD），通过以下技术革新实现性能飞跃：双脉冲封装（DPP）技术结构：将上管（High-Side）与下管（Low-......
2020-10
瑞萨电子推出面向物联网基础设施系统的第二代多相数字控制器和智能功率级单元模块（SPS）
瑞萨电子（Renesas）最新发布的第二代多相数字控制器（如RAA229610/RAA229620）与智能功率级单元（SPS）模块，针对数据中心、5G基站、边缘计算节点等物联网（IoT）基础设施的高密度供电需求，通过全数字化控制、智能功率分配与自适应动态调节技术，实现效率提升15%、功率密度翻倍、系统可靠性增强3倍。以下从技术架构、性能突......
2020-10
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
兆易创新（GigaDevice）近期发布的全国产化24nm工艺SPI NAND Flash存储芯片（如GD5F全系列），标志着中国在嵌入式存储器领域实现从工艺制程、IP核到封测全链条自主可控，填补了国内高密度SPI NAND Flash的技术空白。以下从技术参数、应用场景、国产化突破、竞品对比、开发者价值五大维度解析其行业影响。一、技术参......
2020-10
Microchip推出新器件和扩展设计生态系统，提升电机控制支持
Microchip Technology近期通过新一代电机控制专用器件与全栈式设计生态系统的升级，显著提升了工业、汽车、消费电子领域电机驱动系统的性能、效率与开发效率。以下从核心器件创新、生态系统扩展、技术优势、应用场景、开发者价值五大维度深度解析其行业影响。一、核心器件创新：从MCU到功率器件的全链路升级1. 电机控制专用MCU：dsP......
2020-10
Marvell 推出业界首款采用 MACsec 安全技术的汽车千兆以太网 PHY
Marvell近期发布的Bravera SC5 NVMe RAID加速器，作为全球首款原生（Native）NVMe RAID硬件引擎，彻底颠覆了传统RAID控制器依赖CPU/软件堆栈的架构，将RAID计算下沉至存储控制器内部，实现零CPU占用、微秒级延迟与PB级存储扩展性。以下从技术原理、核心优势、应用场景及行业影响展开深度解析。一、技术......
2020-10
Marvell 推出业界首款原生 NVMe RAID 加速器
Marvell近期发布的Bravera SC5 NVMe RAID加速器，作为全球首款原生（Native）NVMe RAID硬件引擎，彻底颠覆了传统RAID控制器依赖CPU/软件堆栈的架构，将RAID计算下沉至存储控制器内部，实现零CPU占用、微秒级延迟与PB级存储扩展性。以下从技术原理、核心优势、应用场景及行业影响展开深度解析。一、技术......
2020-10
益昂半导体（Aeonsemi）推出业界首款高性能全硅可编程振荡器
一、核心突破：全硅架构实现晶振级精度AeonOSC™系列是首款基于标准CMOS工艺的高精度可编程振荡器，彻底摆脱对石英晶体（Quartz）或MEMS谐振器的依赖，通过全硅环形振荡器+数字补偿算法实现：频率精度：±0.1ppm（-40°C至125°C全温范围）启动时间：<1ms（较传统晶振快5~10倍）功耗：3mA（@100MHz，较......
2020-10
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是针对高效率电源应用需求设计的一款先进功率器件。碳化硅作为第三代半导体材料，相较于传统硅基器件，具有更优异的电学和热学性能，特别适用于需要高效率、高功率密度和高温运行的场景。核心优势与特性低导通电阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的导通电阻显著低于硅基IGBT或MOSFET，这意味......
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