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2020-11
IDT针对领先无线应用推出业界首个1.8伏双端口系列器件
IDT推出的业界首个1.8伏双端口系列器件在无线应用领域具有开创性意义，其技术特性与市场价值主要体现在以下方面：一、核心技术创新超低功耗设计1.8V单电源供电：器件采用1.8V电压标准，较传统3.3V方案功耗降低约40%，显著延长移动设备续航时间。典型功耗指标：主动模式功耗低至27mW（典型值），待机功耗仅5.4mW，满足无线设备对能效的......
2020-11
德州仪器推出业界首款PCI Express*架构的物理层
德州仪器（TI）在PCI Express物理层（PHY）芯片领域有深厚技术积累，曾推出第三代离散式PCI Express物理层芯片，其技术特性与市场价值主要体现在以下方面：一、核心技术创新高度灵活性与板级空间优化TI的PCI Express PHY芯片通过模块化设计显著缩小板级空间，支持PC外接卡、通信、测试设备、服务器等嵌入式系统应用中......
2020-10
Maxim Integrated发布最新IO－Link通信方案，大幅降低工厂停工时间
Maxim Integrated发布的最新IO-Link通信方案通过技术创新与架构优化，显著降低了工厂停工时间，具体体现在以下关键方面：一、核心技术创新模块化与软件可配置性无缝模式切换：方案中的MAX22000模拟IO芯片支持24位ADC输入、18位DAC输出及RTD/热电偶温度测量，通过软件即可灵活配置输入/输出模式，避免硬件改动导致的......
2020-10
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能
Nexperia通过建立特定型应用FET（ASFET）类别，针对不同应用场景优化MOSFET参数，显著提升了系统性能，其核心举措及优势体现在以下方面：一、ASFET的针对性优化策略应用场景定制化设计电池隔离、电机控制、热插拔、以太网供电（PoE）：针对不同领域需求，ASFET采用定制化参数配置。例如，热插拔应用中安全工作区域（SOA）提升......
2020-10
联合碳化硅 扩大肖特基二极管产品组合
联合碳化硅（UnitedSiC，现为Qorvo旗下）通过推出新型结势垒肖特基（JBS）二极管，显著扩大其肖特基二极管产品组合，并针对高功率、高效率应用领域提供更优解决方案。以下为具体分析：一、产品组合扩展内容推出新型JBS二极管产品型号：推出UJ3D 1200V和1700V器件，属于第三代SiC混合式PiN肖特基（MPS）二极管。性能提升......
2020-10
Silicon Labs扩展隔离栅极驱动器产品系列
Silicon Labs近年来持续扩展其隔离栅极驱动器产品系列，以适应电动汽车、工业自动化及可再生能源领域对高效、可靠驱动技术的需求，以下为具体分析：一、核心产品迭代与功能强化Si828x系列升级Si828x版本2：专为电动汽车和工业应用优化，支持4A峰值栅极驱动电流，适配SiC FET和IGBT，显著降低开关损耗。其改进的共模瞬变抗扰性......
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