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意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率
意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率
意法半导体（ST）推出的第二代SiC功率MOSFET确实实现了更高的转换效率，以下是对其详细的分析：一、产品特性极低的导通电阻（RDSon）：单位面积上的导通电阻非常低，这有助于减少功率损耗，提高整体效率。优良的开关性能：开关损耗在结温范围内几乎没有变化，这意味着在不同温度下，MOSFET都能保持稳定的开关性能。宽电压范围：额定击穿电压值......
意法半导... MOSF...
2020-11-24
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EPC推出170 V eGaN FET，实现优越同步整流，极具成本效益
EPC推出170 V eGaN FET，实现优越同步整流，极具成本效益
EPC（宜普电源转换公司）推出的170 V eGaN FET（氮化镓场效应晶体管）在同步整流应用中实现了显著的性能提升，并具有极高的成本效益。产品概述型号与规格：EPC2059，170 V，6.8 mΩ。产品定位：适用于高性能48 V同步整流，满足48 V ~ 56 V服务器、数据中心产品及高端计算领域的消费类电源应用需求。技术优势小型化......
eGaN... EPC
2020-11-16
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英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）近日推出了新一代OptiMOS™源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供了创新解决方案。此次新推出的PQFN封装的40V装置，进一步丰富了OptiMOS系列的产品阵容，为市场带来了更多选择。产品特点源极底置（SD）封装......
Opti... 英飞凌
2020-11-10
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eGaNFET实现98%效率、250 W/48 V的DC/DC解决方案， 用于超薄且有高密度的计算应用
eGaNFET实现98%效率、250 W/48 V的DC/DC解决方案， 用于超...
eGaNFET（增强型氮化镓场效应晶体管）通过实现98%效率、250 W/48 V的DC-DC转换解决方案，正在推动超薄、高密度计算应用的发展。技术实现与性能突破高效率与高功率密度：宜普电源转换公司（EPC）推出的EPC9153演示板，采用250 W超薄电源模块，峰值效率高达98.2%，元件最大厚度仅6.5毫米。该设计通过同步降压配置，在......
电源转换
2020-11-02
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德州仪器推出具有电源限制功能与全面MOSFET SOA保护功能的新型正高压热插拔控制器
德州仪器推出具有电源限制功能与全面MOSFET SOA保护功能的新型正高压热插拔...
德州仪器（TI）近期推出了具有电源限制功能与全面MOSFET安全工作区（SOA）保护功能的新型正高压热插拔控制器。该产品专为支持9至80V的正压系统设计，旨在简化高压系统设计并提升可靠性。核心功能与技术特点电源限制功能通过可编程电源与电流限制功能，实现对高压系统的精确控制，防止过流或过压对系统造成损害。全面的MOSFET SOA保护提供全......
热插拔控...
2020-11-02
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Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能
Nexperia通过建立特定型应用FET（ASFET）类别，针对不同应用场景优化MOSFET参数，显著提升了系统性能，其核心举措及优势体现在以下方面：一、ASFET的针对性优化策略应用场景定制化设计电池隔离、电机控制、热插拔、以太网供电（PoE）：针对不同领域需求，ASFET采用定制化参数配置。例如，热插拔应用中安全工作区域（SOA）提升......
Nexp...
2020-10-29
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Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3．3mm x 3．3mm 封装 40V 双 MOSFET
Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3．3mm x 3．3...
Diodes Incorporated推出的符合车用规范的3.3mm x 3.3mm封装40V双MOSFET（DMT47M2LDVQ）在汽车电子领域具有显著优势，以下从技术特性、应用场景、性能优势和合规性等方面展开分析：一、技术特性封装与集成度采用3.3mm x 3.3mm紧凑型封装，集成两个n信道增强模式MOSFET，可替代两个分立式M......
MOSF... Diod...
2020-10-29
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Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率
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长江存储致钛NVMe 1TB版本SSD以PCIe 4.0技术为核心突破点，在速度、耐用性、兼容性及国产技术自主性方面表现突出，适合追求极致性能的用户选择。以下为具体分析：性能突破：PCIe 4.0速度领跑致钛NVMe 1TB版本SSD（如Ti600系列）搭载PCIe 4.0接口，顺序读取速度高达7000MB/s，写入速度达5000MB/s......
半桥功率... Vish...
2020-10-29
23
MOSFET器件的选择技巧
MOSFET器件的选择技巧
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为功率电子系统的核心器件，其选型直接影响电路的效率、可靠性、成本及动态性能。以下从关键参数分析、应用场景适配、失效风险规避三方面，系统阐述MOSFET的选择逻辑与实用技巧。一、核心参数解析：MOSFET选型的五大维度1. 电压参数：决定器件安全边界漏源击穿电压（VDSS）安全裕量：实际工作电压......
MOSF...
2020-10-26
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东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
东芝推出的新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET，是针对高效率电源应用需求设计的一款先进功率器件。碳化硅作为第三代半导体材料，相较于传统硅基器件，具有更优异的电学和热学性能，特别适用于需要高效率、高功率密度和高温运行的场景。核心优势与特性低导通电阻（Rds(on)）碳化硅MOSFET的导通电阻显著低于硅基IGBT或MOSFET，这意味......
碳化硅M...
2020-10-23
35
关于MOSFET的这些关键指标，你知道吗？
关于MOSFET的这些关键指标，你知道吗？
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电力电子的核心器件，其性能直接决定电路的效率、速度和可靠性。以下从电气特性、动态参数、热特性及可靠性指标四个维度，全面解析MOSFET的关键参数及其应用影响。一、电气特性指标导通电阻（Rds(on)）采用更先进的工艺（如SiC、GaN）降低Rds(on)。增大芯片面积（但会增加成本和封装尺......
MOSF... 什么是M...
2020-10-22
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RD...
一、产品核心定位：高密度PCB设计的理想选择Nexperia推出的超微型MOSFET（如PMV10XNER系列）专为便携式电子设备、可穿戴设备及高密度PCB应用优化，解决以下行业痛点：空间限制：智能手机、TWS耳机等设备内部空间极度紧凑，需缩小元件尺寸；能效需求：低导通电阻（RDS(on)）可降低功耗，延长电池续航；热管理：小封装需兼顾散......
电阻RD...
2020-09-30
88
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）凭借其材料特性与器件设计优势，在电动汽车（EV）、工业电源、光伏逆变器等领域展现出显著性能提升。以下从技术原理、性能对比、应用场景及未来趋势展开分析。一、SiC MOSFET的核心技术优势材料特性突破宽禁带宽度（3.26eV）：相比硅（Si）的1.12eV，SiC可承受更高电场强......
电源应用
2020-09-09
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MOSFET原厂微碧半导体入驻拍明芯城
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微碧半导体（台湾）有限公司位于中国台湾新竹，是一家集MOSFETs（场效应管），晶圆开发设计、封装测试、销售服务、技术支持为一体的半导体企业，深圳市微碧半导体有限公司是集团的运营、生产、销售及服务管理中心。 微碧半导体拥有自主品牌“VBsemi“，还可为客户调整MOSFET参数，提供量身定制服务。VBsemi致力于为客户提供专业、全面......
VBSE... ICZO... 拍明
2020-03-26
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