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Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

来源: 中电网
2020-10-29
类别:新品快报
eye 23
文章创建人 拍明

原标题:Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

长江存储致钛NVMe 1TB版本SSD以PCIe 4.0技术为核心突破点,在速度、耐用性、兼容性及国产技术自主性方面表现突出,适合追求极致性能的用户选择。以下为具体分析:

性能突破:PCIe 4.0速度领跑

致钛NVMe 1TB版本SSD(如Ti600系列)搭载PCIe 4.0接口,顺序读取速度高达7000MB/s,写入速度达5000MB/s,相比PCIe 3.0产品实现翻倍提升。这一性能指标可大幅缩短大型文件传输、游戏加载及复杂计算任务的等待时间,满足专业用户对即时响应的需求。

架构与颗粒:Xtacking® 3D NAND创新

该产品采用长江存储自主研发的Xtacking® 3D NAND闪存架构,通过优化芯片内部结构提升数据传输效率与存储密度。同时,其QLC闪存颗粒在寿命与性能间实现平衡,满足大容量存储需求。此外,单面PCB设计适配轻薄设备,进一步扩展应用场景。

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耐用性与安全:数据保护双保险

内置磨损均衡算法和错误纠正码(ECC)技术,可延长SSD使用寿命并保障数据完整性。支持TRIM指令与SMART监控功能,用户可实时掌握硬盘健康状态,提前预防潜在故障。

兼容性与部署:即插即用无忧

采用标准M.2 2280规格,兼容主流支持PCIe 4.0的主板,适配最新游戏笔记本与高性能台式机。安装过程无需额外工具,支持快速部署,降低用户升级门槛。

性价比与品牌:国产技术红利释放

作为长江存储旗下高端存储品牌,致钛SSD在性能对标国际一线产品的同时,价格更具竞争力。其5年质保政策与国产自研技术背书,为用户提供长期使用保障,推动国产存储品牌市场份额提升。


责任编辑:David

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