原标题：意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率

意法半导体（ST）推出的第二代SiC功率MOSFET确实实现了更高的转换效率，以下是对其详细的分析：

一、产品特性

1. 极低的导通电阻（RDSon）：

• 单位面积上的导通电阻非常低，这有助于减少功率损耗，提高整体效率。

2. 优良的开关性能：

• 开关损耗在结温范围内几乎没有变化，这意味着在不同温度下，MOSFET都能保持稳定的开关性能。

3. 宽电压范围：

• 额定击穿电压值从650V（SCTxN65G2）到1200V（SCTxN120G2），并延伸到1700V，满足不同应用场景的需求。

4. 高温工作能力：

• 工作结温高达200°C，即使在高温环境下也能保持优异的性能。

二、应用优势

1. 减小功率级尺寸和重量：

• 由于SiC MOSFET具有更低的导通电阻和开关损耗，因此可以减小功率级的尺寸和重量，使设备更加紧凑。

2. 实现更高的功率密度：

• 更高的功率密度意味着在相同的体积内可以容纳更多的功率，从而提高设备的性能。

3. 减小功率电路无源元件的尺寸和成本：

• 由于SiC MOSFET支持更高的开关频率，因此可以减小相关的无源元件（如电感、电容等）的尺寸和成本。

4. 实现更高的系统效率：

• 更低的损耗意味着更高的系统效率，从而节省能源并减少运行成本。

5. 减轻热设计限制：

• 由于SiC MOSFET具有优异的高温工作能力，因此可以减轻热设计限制，消除或减少散热器的尺寸和成本。

三、实验室测试与比较

ST的实验室测试比较了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET与硅IGBT的开关损耗。结果显示，SiC MosFET具有更低的开关损耗，即使在高温下也是如此。这使得转换器或逆变器能够在非常高的开关频率下工作，从而进一步减小其无源元件的尺寸。

四、应用场景

第二代SiC功率MOSFET广泛应用于电动汽车牵引电机、充电站等汽车应用中，以及太阳能发电机、电机驱动等工业应用中。此外，它们还适用于牵引电动机、太阳能逆变器、工厂自动化、电动机驱动、数据中心电源、工业电池充电器和不间断电源等领域。

五、总结

意法半导体第二代SiC功率MOSFET以其极低的导通电阻、优良的开关性能、宽电压范围和高温工作能力等特点，为电动汽车、工业应用等领域提供了高效、紧凑的解决方案。通过实验室测试与实际应用的验证，这些MOSFET确实实现了更高的转换效率，为相关行业的发展做出了重要贡献。