Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET


原标题:Diodes Incorporated 推出符合车用规范 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET
Diodes Incorporated推出的符合车用规范的3.3mm x 3.3mm封装40V双MOSFET(DMT47M2LDVQ)在汽车电子领域具有显著优势,以下从技术特性、应用场景、性能优势和合规性等方面展开分析:
一、技术特性
封装与集成度
采用3.3mm x 3.3mm紧凑型封装,集成两个n信道增强模式MOSFET,可替代两个分立式MOSFET,大幅减少电路板空间占用。
集成化设计降低系统复杂度,简化PCB布局,适用于空间受限的汽车电子应用。
电气性能
低导通电阻:在10V的VGS和30.2A的ID条件下,RDS(ON)仅为10.9mΩ,显著降低传导损耗,提升电源转换效率。
低栅极电荷:在10V的VGS和20A的ID条件下,典型栅极电荷为14.0nC,有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。
热性能
采用高导热效率的PowerDI® 3333-8封装,结壳间热阻(Rthjc)为8.43°C/W,热管理性能优异,可开发出功率密度更高的终端产品。
二、应用场景
电动座椅控制
通过紧凑封装和低导通电阻,实现高效电机驱动,减少热量产生,提升系统可靠性。
先进驾驶辅助系统(ADAS)
适用于雷达、摄像头等传感器模块的电源管理,满足高集成度、低功耗需求。
无线充电与马达控制
低导通电阻和低栅极电荷特性,有效降低传导损耗和开关损耗,提升系统能效。
三、性能优势
功率密度提升
相比分立式MOSFET方案,DMT47M2LDVQ可减少PCB面积,适用于高功率密度需求的汽车功能实现,如ADAS等。
能效优化
低RDS(ON)和低栅极电荷设计,显著降低功率损耗,延长电池续航时间,适用于电动汽车和混合动力汽车。
四、合规性与可靠性
车规级认证
符合AEC-Q100 Grade 1等级规范,支持PPAP文件,满足汽车行业严苛的质量和可靠性要求。
生产设施认证
在IATF 16949标准认证的生产设施中制造,确保产品的一致性和可追溯性。
责任编辑:David
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