您现在的位置： 首页 > 标签 > 效应管
效应管
效应管
相关文章 : 1篇 浏览 : 30次

MOS场效应管（MOSFET）厂商排行榜，看看七大品牌你熟悉的有哪些？
MOS场效应管（MOSFET）厂商排行榜，看看七大品牌你熟悉的有哪些？
MOS场效应管（MOSFET）厂商众多，且随着市场和技术的发展，排名也会有所变化。以下是根据当前信息整理的七大MOSFET厂商品牌，这些品牌在业界具有较高的知名度和影响力：Infineon（英飞凌）简介：Infineon英飞凌是一家全球领先的半导体科技公司，专注于生产IGBT组件、分立器件、智能卡芯片和功率半导体产品等。特点：Infine......
MOS场... MOSF...
2021-11-30
37
ROHM半导体AEC-Q101汽车场效应管的介绍、特性、及应用
ROHM半导体AEC-Q101汽车场效应管的介绍、特性、及应用
ROHM（罗姆）半导体AEC-Q101汽车场效应管具有出色的性能和广泛的应用领域，以下是对其介绍、特性及应用的详细阐述：一、介绍AEC-Q101是针对汽车领域应用中分立半导体器件（如晶体管、二极管等）的可靠性认证测试标准。ROHM半导体AEC-Q101汽车场效应管是通过了该认证的汽车级电子元器件，具有卓越的可靠性和稳定性，非常适用于各种汽......
AEC-... 汽车场效... ROHM
2021-05-19
13
Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行
Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 ...
Nexperia（安世半导体）推出的第二代650V氮化镓（GaN）场效应管（FET）在电源领域取得了显著的突破，使得80 PLUS钛金级电源能够在2kW或更高功率下运行。以下是对这一产品的详细介绍：一、产品概述Nexperia第二代650V GaN FET器件系列，以其卓越的性能和批量供货的能力，为高性能电源设计提供了新的选择。这些器件特......
伺服驱动... PFC电... 太阳能逆...
2021-04-28
23
国产MOS场效应管7n60
国产MOS场效应管7n60
国产MOS场效应管7N60是一种广泛应用于电子领域的器件，以下是对其的详细介绍：一、基本特性7N60是N沟道增强型高压功率MOS场效应管，具有高效、节能的特点。它通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流，具有输入阻抗高、耦合电容容量小、功耗低等优势。二、电性参数漏源电压（VDSS）：600V。这是指场效应管漏极和源极之间的最大允许电压......
MOS场... 7n60
2021-01-11
100
MOS场效应管7n65参数规格书
MOS场效应管7n65参数规格书
MOS场效应管7N65的参数规格书通常包含以下关键信息：一、基本参数型号：7N65漏极-源极电压（VDS）：650V。这是场效应管漏极和源极之间的最大允许电压。栅源电压（VGS）：±30V（或标注为30V，表示栅极相对于源极的最大正向和反向电压）。漏极电流（ID）：7A。这是场效应管在导通状态下，漏极允许流过的最大电流。二、电气特性功耗（......
MOS场... 7n65
2021-01-11
320
星宇佳MOS场效应管8n60
星宇佳MOS场效应管8n60
关于星宇佳（假设为一个品牌名，实际中可能对应不同的公司或制造商，此处以“星宇佳”代称）MOS场效应管8N60的详细参数和特性，可以参考以下信息：一、基本参数型号：8N60晶体管极性：N沟道漏极电流（Id）最大值：7.5A漏源电压（Vds）最大：600V二、电气特性开态电阻（Rds(on)）：典型值：可能在0.98Ω至1.2Ω之间（具体值可......
星宇佳 MOS场... 8n60
2021-01-11
26
星宇佳MOS场效应管8n65
星宇佳MOS场效应管8n65
星宇佳MOS场效应管8N65是一款高性能的N沟道增强型高压功率MOS场效应管。以下是对其参数的详细分析：一、基本参数型号：8N65晶体管类型：MOS场效应管沟道类型：N沟道漏源电压（Vds）：最大650V漏极电流（Id）：漏极直流电流：8A最大脉冲漏极电流：32A（在特定条件下）二、电气特性栅源电压（Vgs）：最高±30V（或标注为30V......
星宇佳 MOS场... 8n65
2021-01-11
120
10N60 10A/600V MOS场效应管
10N60 10A/600V MOS场效应管
10N60 10A/600V MOS场效应管是一种具有特定电气特性的半导体器件，以下是对其的详细解析：一、基本参数型号：10N60漏极-源极电压（VDS）：600V。这表示该场效应管能够承受的最大漏极到源极的电压为600V。栅源电压（VGS）：通常的栅源电压限制（未给出具体最大值，但一般MOS管有栅极电压限制）。在实际应用中，需要确保栅源......
10N6... MOS场...
2021-01-05
28
10N65 10A/650V MOS场效应管
10N65 10A/650V MOS场效应管
10N65 10A/650V MOS场效应管是一种高压、大电流的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。以下是对其的详细介绍：一、基本特性型号：10N65漏极-源极电压（VDS）：650V。这表示该场效应管能够承受的最大漏极到源极的电压为650V。栅源电压（VGS）：±30V（或简单表述为30V，指正向或反向栅源电压的限制）。这是栅极相对于......
10N6... MOS场...
2021-01-05
30
推荐产品
系统默认图标
C0276AANAB
品牌:BULGIN
类别：面板指示器/指示灯
0807SQ-14NJLB
0807SQ-14NJLB
品牌:COILCRAFT
类别：固定电感器
25SVPF82M
25SVPF82M
品牌:PANASONIC
类别：电解电容
PH75S48-5
PH75S48-5
品牌:TDK-LAMBDA
类别：直流-直流转换器
MMZ0603D470ET000
MMZ0603D470ET000
品牌:TDK
类别：其他滤波器
列表栏目
基于STM32F103VET6+AD603+TSC2046的多路电压采集的设计与实现方案
工业控制
基于STM32F103VET6+AD60...
最简单DIY基于ESP8266的智能彩灯⑦（原理图+源码+教程+库）
消费电子
最简单DIY基于ESP8266的智能彩灯...
基于XL6019+LM358的升压恒流输出驱动LED方案
LED应用
基于XL6019+LM358的升压恒流输...
基于ESP8266的赛车仪表板（示意图+代码）
汽车电子
基于ESP8266的赛车仪表板（示意图+...
基于Nordic nRF52840无线键盘、鼠标物联网解决方案
消费电子
基于Nordic nRF52840无线键...
相关标签
深圳国际... ICZO... ELEX... 五一劳动... USB控... 以太网 放假通知 EIC 分立器件 继电器 上继电器 晶扬 云母电容... 云母电容... 云母电容 XCKU... 硬件加速... Xili... 开关三极... 1300...