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Nexperia LFPAK56D网格状的场效应管的介绍、特性、及应用
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原标题：Nexperia LFPAK56D网格状的场效应管的介绍、特性、及应用
Nexperia的半桥(高边和低边)mosfet系列采用节省空间的LFPAK56D封装格式。与双mosfet相比，这些mosfet在三相电机控制拓扑中占用的PCB面积较低30%，因为在生产过程中可以去除PCB轨迹，同时允许简单的自动化光学检查(AOI)。LFPAK56D半桥采用了现有的大容量LFPAK56D组装工艺，具有可靠的汽车可靠性。封装格式使用灵活的引线，提高整体可靠性。mosfet之间的内部铜夹连接简化了PCB设计，带来了一个即插即用的解决方案，具有特殊的电流处理能力。
特性
由于内部夹接，降低了60%的寄生电感
与LFPAK56D双模相比，PCB节省30%的空间
高性能ID max > 60a
低的热阻
应用程序
手持电动工具、便携式电器和空间受限的应用
无刷或有刷直流电机驱动
DC-to-DC系统
资源
AN90003 LFPAK MOSFET热设计指南
RC热模型
功率MOSFET常见问题
AN90011半桥MOSFET开关及其对EMC的影响
责任编辑：David
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