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MOS场效应管
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什么是NPN型三极管和NMOS场效应管？
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NPN型三极管和NMOS场效应管是两种不同的电子器件，它们在电子电路中有着广泛的应用。以下是关于这两种器件的详细介绍：一、NPN型三极管定义：NPN型三极管是一种由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成的三极管，也称为晶体三极管，是电子电路中最重要的器件之一。结构：NPN型三极管具有三个电极：基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。其......
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2025-02-13
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BSS138 SOT23 MOS场效应管介绍
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2024-11-28
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功率MOS场效应管，即Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（简称Power MOSFET），是一种重要的半导体器件。以下是对其的详细解释：一、定义与结构功率MOS场效应管是以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。它的主要结......
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2024-10-18
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mos场效应管的作用
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mos场效应管的作用金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种重要的半导体器件，常用于电子电路中的放大、开关和调节等功能。其主要作用包括：放大作用：MOSFET可以用作放大器，将小信号输入转换为大信号输出。在放大器电路中，MOSFE......
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2024-03-29
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MOS场效应管（MOSFET）厂商众多，且随着市场和技术的发展，排名也会有所变化。以下是根据当前信息整理的七大MOSFET厂商品牌，这些品牌在业界具有较高的知名度和影响力：Infineon（英飞凌）简介：Infineon英飞凌是一家全球领先的半导体科技公司，专注于生产IGBT组件、分立器件、智能卡芯片和功率半导体产品等。特点：Infine......
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国产MOS场效应管7N60是一种广泛应用于电子领域的器件，以下是对其的详细介绍：一、基本特性7N60是N沟道增强型高压功率MOS场效应管，具有高效、节能的特点。它通过在绝缘层上投射电场来影响流过晶体管的电流，具有输入阻抗高、耦合电容容量小、功耗低等优势。二、电性参数漏源电压（VDSS）：600V。这是指场效应管漏极和源极之间的最大允许电压......
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2021-01-11
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MOS场效应管7n65参数规格书
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MOS场效应管7N65的参数规格书通常包含以下关键信息：一、基本参数型号：7N65漏极-源极电压（VDS）：650V。这是场效应管漏极和源极之间的最大允许电压。栅源电压（VGS）：±30V（或标注为30V，表示栅极相对于源极的最大正向和反向电压）。漏极电流（ID）：7A。这是场效应管在导通状态下，漏极允许流过的最大电流。二、电气特性功耗（......
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2021-01-11
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星宇佳MOS场效应管8n60
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关于星宇佳（假设为一个品牌名，实际中可能对应不同的公司或制造商，此处以“星宇佳”代称）MOS场效应管8N60的详细参数和特性，可以参考以下信息：一、基本参数型号：8N60晶体管极性：N沟道漏极电流（Id）最大值：7.5A漏源电压（Vds）最大：600V二、电气特性开态电阻（Rds(on)）：典型值：可能在0.98Ω至1.2Ω之间（具体值可......
星宇佳 MOS场... 8n60
2021-01-11
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星宇佳MOS场效应管8n65
星宇佳MOS场效应管8n65
星宇佳MOS场效应管8N65是一款高性能的N沟道增强型高压功率MOS场效应管。以下是对其参数的详细分析：一、基本参数型号：8N65晶体管类型：MOS场效应管沟道类型：N沟道漏源电压（Vds）：最大650V漏极电流（Id）：漏极直流电流：8A最大脉冲漏极电流：32A（在特定条件下）二、电气特性栅源电压（Vgs）：最高±30V（或标注为30V......
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2021-01-11
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10N60 10A/600V MOS场效应管
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10N60 10A/600V MOS场效应管是一种具有特定电气特性的半导体器件，以下是对其的详细解析：一、基本参数型号：10N60漏极-源极电压（VDS）：600V。这表示该场效应管能够承受的最大漏极到源极的电压为600V。栅源电压（VGS）：通常的栅源电压限制（未给出具体最大值，但一般MOS管有栅极电压限制）。在实际应用中，需要确保栅源......
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2021-01-05
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10N65 10A/650V MOS场效应管
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