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MOSFET驱动
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MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

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2022-08-03
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2022-06-14
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2021-08-18
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微芯科技MCP14A0455 4.5A Dual MOSFET驱动提供最高4.5A的峰值电流，同时工作在单个4.5V到18V电源。MCP14A0455具有两个互补输出(一个反相和一个非反相)，低穿透电流，快速上升和下降时间，短传播延迟。MCP14A0455双MOSFET驱动提供增强的控制与启用功能。active-high使能引脚可以低驱动......
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2021-08-17
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HIP2211和HIP2210 –用于48V应用的高频100V半桥MOSFET驱动器
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　　　　瑞萨电子公司(Renesas Electronic Corporations)推出了一对新的100V半桥MOSFET驱动器HIP2211和HIP2210，它们非常适合48V 电信电源，D类音频放大器，太阳能逆变器和UPS逆变器。它们还可用于为锂离子电池供电的家用和户外产品，水泵和冷却风扇中要求苛刻的48V电动机驱动器供电。　　......
半桥MO... HIP2... HIP2...
2021-06-24
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Vishay VOD3120Ax IGBT & MOSFET驱动程序的介绍、特性、及应用
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Vishay VOD3120Ax IGBT &MOSFET驱动是2.5A最小峰值输出电流隔离驱动，提高了逆变级的效率。这些驱动器采用光耦合到具有功率输出级的集成电路的AlGaAs LED。VOD3120Ax驱动程序包含了轨到轨的输出阶段。这些驱动器在3.5mA低电流消耗时提供低电压降，提高了逆变器级的效率。VOD3120A......
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2021-06-15
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Renesas瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
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　　全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团（TSE：6723）今日宣布推出两款全新100V半桥MOSFET驱动器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞萨电子备受欢迎的ISL2111桥驱动器的新一代引脚兼容升级产品；新款HIP2210提供三电平PWM输入，以简化电源和电机驱动器设计。HIP2211和HIP2210非常适用......
MOSF...
2020-07-08
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瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案
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　　在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。　　另一方面，半桥配置最......
半桥拓扑
2020-06-22
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开关电源中几种常用的MOSFET驱动电路
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　　MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。　　在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工......
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2020-04-10
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On Semi NCP51705 SiC MOSFET驱动解决方案
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　　On Semi公司的NCP51705是SiC MOSFET晶体管驱动器,具有最低可能的导通损耗,能给SiC MOSFET器件提供最大可能的栅极电压.由于在开态和关态提供了高峰值电流,开关损耗实现了最低化.为了改善生活可靠性,dV/dt免疫性和更快关断,NCP51705采用板上电荷泵,以产生用户可选择的负电压轨.NCP51705还提供......
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2020-02-25
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　　　　功率场效应晶体管(Power MOSFET)是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、无二次击穿现象和安全工作区域(SOA)宽等优点，因此，在高性能的开关电源、斩波电源及电机控制的各种交流变频电源中获得越来越多的应用。但相比于绝缘栅双极型晶体管IGBT或大功......
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2018-12-27
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On Semi CP51705单路6ASiC MOSFET驱动方案
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　　On Semi公司的CP51705是单路6A高速低边SiC MOSFET驱动器,源电流和沉电流6A,为了获得最低的导通损耗,驱动器能对SiC MOSFET提供最大限度的栅极电压,主要用在驱动SiC MOSFET器件,工业逆变器,马达驱动器以及PFC,AC/DC转换器和DC/DC转换器.本文介绍了CP51705主要特性,框图和应用电......
CP51... MOSF... On S...
2018-07-26
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　　PowerInt公司的SID1183K是采用eSOP封装的单路1700V IGBT和MOSFET驱动器,栅极峰值驱动电流高达8A,集成的FluxLink™在初级和次级间提供电隔离,高达75kHz开关频率,传输时延260ns,传输时延抖动±5 ns,工作温度-40℃ 到125℃,主要用在通用和伺服驱动,UPS,太阳能,焊接逆变器和......
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2018-07-20
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基于PowerInt公司SID1183K单路IGBT和MOSFET驱动方案
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　　PowerInt公司的SID1183K是eSOP封装的单路IGBT和MOSFET驱动器,采用创新的固态隔离器FluxLink技术的电隔离.峰值输出驱动电流8A,其它特性包括具有先进软关断(ASSD)的短路保护(DESAT),欠压锁住(UVLO),适合于1700V IGBT和MOSFET开关,开关频率高达75kHz,传输时延260ns......
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2018-06-12
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2017-03-15
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