美国芯源系统(MPS) MPQ18021HN-A功率MOSFET驱动的介绍、特性、及应用
原标题:美国芯源系统(MPS) MPQ18021HN-A功率MOSFET驱动的介绍、特性、及应用
美国芯源系统(MPS) MPQ18021HN-A功率MOSFET驱动是高性价比的SOIC-8E封装中的高频半桥栅极驱动。低侧和高侧驱动通道独立控制和匹配,延时小于5ns。这些驱动器具有低侧和高侧电源的欠电压锁定(UVLO),当供应效率低下时,迫使其输出较低。MPQ18021HN-A驱动提供片上自举二极管,16ns典型传播延迟时间,ttl兼容输入,100V V (BST)电压范围,小于160µ静态电流。这些驱动器是理想的使用在汽车DC/DC电力系统和半桥电机驱动器。
特性
驱动n通道MOSFET半桥
100V V(BST)电压范围
芯片上的自举二极管
典型的传播延迟时间
门驱动匹配小于5s
驱动1nf负载12ns/9ns升降时间12V V(DD)
TTL-compatible输入
少于160µ静态电流
UVLO可用于高侧和低侧
保证工业/汽车温度范围限制
可在一个SOIC-8E包
可在AEC-Q100一级合格
应用程序
汽车DC/DC电源系统
网格状的汽车司机
框图
典型应用电路
责任编辑:David
【免责声明】
1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。
拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。