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京瓷AVX IGBT模块的介绍、特性、及应用
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京瓷AVX IGBT模块在需要高可靠性设备的工业领域提供多种封装技术。这些模块具有单和双配置，650V至1200V饱和电压范围，最大额定电流为600A。为逆变器和伺服器设计的制动电路，IGBT模块所需的安装空间比传统产品少约30%。京瓷AVX IGBT模块可以与京瓷FRD模块一起使用，以节省空间并增加应用范围。特性采用多种包装技术适用于工......
京瓷AV... IGBT...
2024-02-20
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英飞凌XHP 2&3 IGBT模块的介绍、特性、及应用
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英飞凌XHP 2和3 IGBT模块专为1.7kV至6.5kV的大功率应用而设计。英飞凌模块是牵引、CAV和中压驱动等苛刻应用的理想选择。这些器件提供可扩展的设计、一流的可靠性和最高的功率密度。可在两个外壳，XHP 2和XHP 3，两者共享尺寸140mm长，100mm宽，和40mm高。这使得产品设计人员能够在各种电流和电压额定值之间创建一致......
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2024-01-22
14
IGBT驱动的基本概念和作用、工作原理和特点
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摘要本文主要对IGBT驱动进行详细阐述，从四个方面进行讲解。首先介绍了IGBT驱动的基本概念和作用，然后分析了IGBT驱动的工作原理和特点。接着探讨了IGBT驱动在电力电子领域中的应用，并举例说明其在变频器、逆变器等设备中的重要性。最后总结了文章内容。1、基本概念IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor......
IGBT...
2023-08-29
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IGBT功率开关器件基本原理、驱动电路的设计、故障诊断与保护
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摘要IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常用的功率开关器件，广泛应用于各种电力电子系统中。本文将以IGBT驱动电路为中心，从四个方面对其进行详细阐述。一、IGBT基本原理IGBT是一种双极型晶体管，结合了MOSFET和BJT的优点。它具有高输入阻抗、低输出导通压降和高耐压能力等特点。在这个部......
IGBT 功率开关...
2023-08-29
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晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分
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　　晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启，不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启，也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要，小编根据所学及理解做如下总结，希望能给大家一些帮助。一、晶闸管　　1、别名：可控硅是一种大功率半导体器件，常用做交......
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2022-11-18
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意法半导体汽车级IGBTs产品的介绍、特性、及应用
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　　　　意法半导体扩大了其汽车级IGBTs产品组合，推出了400 V和450 V专用电子点火夹紧设备。这种特殊应用的IGBT采用了最先进的PowerMESH(TM)技术，为线圈驱动汽车点火系统的恶劣环境进行了优化。这些器件在很宽的工作温度范围内显示出非常低的导通电压和非常高的SCIS能量能力。此外，esd保护逻辑电平栅格输入和集成栅电阻......
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2022-10-21
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Bourns 模型 BID 绝缘栅双极晶体管
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　　Bourns 模型 BID 绝缘栅双极晶体管　　Bourns BID 型绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了 MOSFET 栅极和双极晶体管的技术，专为高电压/高电流应用而设计。BID 型 IGBT 采用先进的沟槽栅场截止技术，可更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压并减少开关损耗。IGBT 的工作温度范围为 -55°......
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2022-08-08
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WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT的介绍、特性、及应用
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WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT是一种高速650V/50A IGBT，在TO247封装中具有反平行二极管。这种IGBT提供高速、低开关损耗和平滑的开关行为，避免电压超调和降低系统EMI。WG50N65DHWQ IGBT采用沟栅场阻技术，并提供低热阻。这种IGBT采用无卤素封装，具有无铅铅完成，并符合......
平行二极...
2022-07-27
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ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 igbt的介绍、特性、及应用
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ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场止动沟槽igbt是10µs SCSOA (Short - Circuit Safety Operating Area)保证绝缘栅双极晶体管，适用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR提供低传导......
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2022-07-27
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意法半导体STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM纳米igbt的介绍、特性、及应用
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意法半导体STGIPQ4C60T-HZ SLLIMM纳米igbt采用简单、坚固的设计，提供了紧凑、高性能的交流电机驱动。STGIPQ4C60T-HZ igbt由6个改进的带自由旋转二极管的短回路坚固沟槽栅场阻igbt和3个半桥hvc栅驱动组成。这提供了低电磁干扰(EMI)特性和优化的开关速度。STM STGIPQ4C60T-HZ SLLI......
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2022-07-22
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Micro Commercial Components场阻沟槽IGBT系列的介绍、特性、及应用
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随着其领域场阻沟槽技术的引入，Micro Commercial Components在功率半导体市场继续其产品扩展。第一代IGBT器件允许40a的最大电压为650 V和1200 V。其他电压和电流水平正在研制中。磁场阻挡沟槽技术提供了低导电(低V(ce(sat))和低开关损耗(低E(OFF))，并由于正温度系数而允许并联。这些igbt......
逆变器
2022-07-21
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ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT的介绍、特性、及应用
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　　ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，适用于一般逆变器，UPS，电源调节器和焊接应用。ROHM RGT20NL65场停止沟槽IGBT提供了5μs的短路耐受时间。此外，该器件指定为±30V栅极-发射极电压和20A @ 25°C集电极电流......
RGT2... IGBT ROHM
2022-06-28
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ROHM Semiconductor RGWxx65C系列内置SiC二极管的混合igbt的介绍、特性、及应用
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　　RGWxx65C系列采用ROHM Semiconductor 的低损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)在IGBT的反馈块作为一个自由旋转二极管，几乎没有恢复能量，因此，最小的二极管开关损耗。此外，由于在开启模式下IGBT不需要处理恢复电流，IGBT的开启损耗比传统IGBT中使用的硅快速恢复二极管(frd)显著降低。这两种效应加在一起......
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2022-04-13
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IGBT和MOSFET该用谁？你选对了吗？
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　　半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体功率器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方......
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2021-12-17
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IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
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作者：赵佳　　在IGBT数据手册中，显眼的位置都会给出最大额定电压的定义，例如：　　FF450R12ME4中关于最大额定电压的定义　　　　我们常常被告诫：实际应用中，IGBT集电极电压绝对不能超过额定值，否则器件有可能被击穿。　　然后有的同学并不死心：如果我只超了一点点呢，1210V就会击穿吗？如果只是一个非常短非常短，比如只有1us的脉......
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2021-12-13
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热敏电阻: TDK推出可嵌入到IGBT模块的高精度片式NTC热敏电阻
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　　TDK 集团（东京证券交易所代码：6762）隆重推出新型片式L860 NTC热敏电阻。它可直接嵌入到电源模块中，支持烧结和重质铝丝焊连接，并且特性和R100 =493 Ω条件下的常见MELF-R/T曲线相吻合。无铅化的新型元件订购编号为B57860L0522J500，工作温度范围为-55 °C至+175 °C，尺寸为1.6 x ......
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2021-12-10
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东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的......
伺服放大... 绝缘栅极... 光伏逆变...
2021-12-01
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东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT的介绍、特性、及应用
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东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT，由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通道IGBT是电压谐振逆变器开关，软开关，感应灶台和家电应用的理想选择。特性6.5一代增强型自由二极管......
东芝 GT20... IGBT
2021-11-08
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IGBT6.0年底推出！比亚迪半导体：明年国内新能源汽车销量将突破600万辆
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　　自去年四季度以来，由于众多车厂对于全球汽车市场需求的错误估计，以及全球晶圆制造产能持续紧缺的影响，造成了汽车产业的严重缺芯。特别是在新能源汽车市场，由于汽车的电动化、智能化、自动化，使得新能源汽车对于芯片需求爆发式增长，在目前新能源汽车渗透率持续上升的背景之下，这也加剧了目前汽车芯片紧缺的问题。这也使得国内汽车产业对于汽车芯片的自主可......
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2021-11-05
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基于IGBT器件的大功率DC/DC电源并联技术研究
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　　摘要:基于IGBT器件,利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源.该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源&对该电源装置进行了仿真和实验!获得了较为满意的动静态性能.　　关键词:EAST装置;大功率直流电源;DC/DC并联　　随着电力电子技术的发展,很多场合需要大功率大电流的直流电源.EAST的磁......
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