场效应管（FET）、MOS管（特指金属氧化物半导体场效应管，MOSFET）以及IGBT管（绝缘栅双极型晶体管）在外观上存在一些明显的区别。以下是对这三者外观区别的详细分析：

一、场效应管（FET）

1. 类型：FET是一个广泛的类别，包括JFET（结型场效应管）和IGFET（绝缘栅型场效应管）等。MOSFET是IGFET的一种。

2. 外观特点：FET的外观因类型而异。JFET通常具有较小的封装，引脚排列和数量也可能因型号而异。IGFET（如MOSFET）则通常具有更大的封装，以适应其更高的集成度和更复杂的结构。

3. 标识：FET上通常会标注型号、极性（如N型或P型）以及引脚功能（如栅极G、源极S、漏极D）等信息。

二、MOS管（MOSFET）

1. 封装形式：MOSFET通常采用TO-220、TO-247、TO-3P等封装形式，这些封装通常具有较大的散热面积，以适应其在大功率应用中的散热需求。

2. 引脚排列：MOSFET的引脚排列通常为栅极G、漏极D、源极S的顺序（但也可能因型号而异）。引脚之间通常有一定的间隔，以方便焊接和连接。

3. 外观大小：MOSFET的封装通常比JFET等FET要大，以适应其更高的电流和功率处理能力。

三、IGBT管

1. 封装形式：IGBT通常采用与MOSFET相似的封装形式，如TO-220、TO-247等，但也可能采用更复杂的模块封装形式，以适应其在大功率、高电压应用中的需求。

2. 引脚排列：IGBT的引脚排列通常为栅极G、集电极C、发射极E的顺序。与MOSFET相比，IGBT的引脚功能有所不同，集电极C和发射极E分别取代了MOSFET的漏极D和源极S。

3. 外观大小：IGBT的封装通常比MOSFET还要大，因为其需要处理更高的功率和电压。IGBT的外观通常更为笨重，以适应其在大功率应用中的散热和机械强度需求。

四、总结

从外观上看，场效应管（FET）、MOS管（MOSFET）以及IGBT管存在明显的区别。FET的外观因类型而异，但通常较小；MOSFET具有较大的封装和特定的引脚排列；而IGBT则通常具有更大的封装和不同的引脚功能。这些区别使得它们在实际应用中能够根据不同的需求和场景进行选择和使用。

请注意，以上分析是基于一般性的观察和经验总结，并不适用于所有型号的FET、MOSFET和IGBT。在具体应用中，建议参考相关器件的规格书和数据手册，以获得更准确的信息。