在比较场效应管（FET）和MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的价格时，需要明确的是，MOS管实际上是场效应管的一种，因此，将二者进行直接的价格对比并不十分准确。不过，如果我们把讨论范围扩展到不同类型的场效应管（包括MOS管以及其他类型的FET，如JFET等），则可以尝试分析它们的价格差异。

一般来说，MOS管的价格受多种因素影响，包括但不限于材料成本、生产工艺、封装形式、性能参数以及市场需求等。随着技术的进步和产量的增加，MOS管的价格在过去几年中有所下降，特别是对于一些常用的、大批量的型号。此外，碳化硅（SiC）MOS管等高性能、高可靠性的产品，由于其独特的材料特性和应用需求，价格可能仍然相对较高。

而其他类型的场效应管，如JFET等，可能由于其特定的应用场景和较小的市场规模，价格也可能有所不同。一些特殊用途或高性能的FET可能价格更高，而一些通用型或低性能的FET则可能价格更低。

在具体应用中，选择哪种类型的场效应管（包括MOS管）主要取决于电路的设计需求、性能要求、成本预算以及可获得的器件类型等因素。

综上所述，无法一概而论地说场效应管和MOS管哪个更贵。实际上，价格差异取决于具体的型号、性能、封装以及市场需求等多种因素。在选择时，建议根据具体的应用场景和需求进行权衡和选择。